18aFB-4 低磁場低電子密度領域における電子占有数に依存したg-因子の増大(18aFB 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 2012-08-24

著者

• 平山 祥郎

  東北大理

• 田村 浩之

  NTT物性基礎研

• 山口 真澄

  NTT物性基礎研

• 赤崎 達志

  NTT物性基礎研

• 野村 晋太郎

  科技団:筑波大物理

• 野村 晋太郎

  筑波大物理

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