28pYF-9 ゲート付Be-δドープGaAs量子井戸発光の電子密度依存性(量子井戸・超格子)(領域4)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2004-03-03

著者

• 佐藤 大輔

  東大院理

• 田村 浩之

  NTT物性基礎研

• 山口 真澄

  NTT物性基礎研

• 赤崎 達志

  NTT物性基礎研

• 高柳 英明

  NTT物性基礎研

• 野村 晋太郎

  筑波大数理物質:ntt物性基礎研

• 高柳 英明

  東理大:物材機構:jst-crest

• 野村 晋太郎

  筑波大物理

• 佐藤 大輔

  筑波大物理

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