26pBC-7 グラファイト基板の不均一部分に吸着した局在ヘリウム3の成長過程(26pBC 低次元・Restricted geometry,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
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概要
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- 2012-03-05
著者
-
佐藤 大輔
東大院理
-
松井 朋裕
東大院理
-
福山 寛
東大院理
-
成瀬 公暁
東大院理
-
Fukuyama Hidetoshi
Department Of Physics Univercsity Of Tokyo
-
Fukuyama Hidetoshi
Institute Of Solid State Physics University Of Tokyo
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