14pYC-9 ゲート付き Be-δドープ GaAs 量子井戸発光の電子密度依存性 II(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2004-08-25

著者

• 佐藤 大輔

  東大院理

• 田村 浩之

  NTT物性基礎研

• 山口 真澄

  NTT物性基礎研

• 赤崎 達志

  NTT物性基礎研

• 高柳 英明

  NTT物性基礎研

• 野村 晋太郎

  筑波大数理物質:ntt物性基礎研

• 高柳 英明

  東理大:物材機構:jst-crest

• 野村 晋太郎

  筑波大物質創成

• 佐藤 大輔

  筑波大理

• 宮越 賢治

  東理大理

• 宮越 賢治

  東京理科大:crest-jst

関連論文

• 20pHY-10 超伝導共振器における共振周波数の温度依存性(20pHY 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 22pHX-10 グラファイト上2次元ヘリウム3実験における基板の不均一効果(22pHX 若手・渦・低次元系・液面電子,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 21pGV-3 トリオン-二次元電子ガスクロスオーバー領域の発光分光(21pGV 領域5,領域4,領域8合同シンポジウム:半導体のキャリアドーピングと光,領域5(光物性))
• 21pGV-3 トリオン-二次元電子ガスクロスオーバー領域の発光分光(21pGV 領域5,領域4,領域8合同シンポジウム:半導体のキャリアドーピングと光,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• コバルト・リッチ・クラストからの白金の選択的回収に関する基礎試験
• 20aYF-5 結合3重量子ドットにおける2電子・3電子状熊の励起スペクトル(20aYF 量子ドット・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 2P2-L06 ヒューマノイド腱太における随意・反射・状況反応行動の統合による適応性の実現
• 21aHW-10 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトルの温度依存性(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pHV-6 近接場局所光照射による量子ホール端状態の観測(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pYL-2 ピエゾ抵抗における超伝導近接効果(超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 19aWB-8 核整列固体^3Heの超音波
• 2P2-1F-E3 注意行動遷移ネットワーク ABC-Net に基づくヒューマノイド行動記述
• 25aWF-5 共晶体を用いたSr_2RuO_4/Ru接合の準粒子トンネル効果(Ru系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24pZR-5 Sr_La_Ti_Cr_xO_3の電子構造(24pZR Ti系・その他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27aTB-8 カゴメ型量子ドット列における磁場効果
• 26aXD-2 ν=1^-における円偏光発光スペクトル(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aXD-1 格子型表面ゲート付き非ドープGaAs量子井戸の発光スペクトル(2)(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25aXG-7 横結合二重量子ドットにおけるファノ-近藤効果(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28aTK-8 高ランダウ準位におけるストライプ・バブル相のフォトルミネセンス(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18aYJ-11 磁場中の球状量子ドットにおける新たな殻構造
• 27aTB-3 磁場中の三次元量子ドットにおける電子状態計算
• 26pYB-5 グラファイト上2次元固体ヘリウム3の相図III(Restricted geometry・低次元,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 30aYJ-2 グラファイト上2次元固体ヘリウム3の相図II(30aYJ 二次元He・量子固体・超固体,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 21pRD-4 グラファイト上2次元ヘリウム3の高温熱容量(固体3He,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 22pYE-4 パルスNMR法による2次元ヘリウム3の横緩和時間の測定(22pYE 固体^3He・液体^3He,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 22aYF-4 並列量子ポイントコンタクトにおける量子干渉の有限バイアス効果(22aYF 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-3 半導体量子ドットの近藤効果における電極のスピン蓄積効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-2 横結合2重量子ドットにおける近藤-ファノ効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aWJ-3 並列量子ポイントコンタクトにおけるAharonov-Bohm振動(量子細線,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTA-6 独立コンタクトを有する2重量子ドット-量子細線結合系の電気伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTA-5 電子フォーカシングにより電流注入された量子ドットの伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19pWF-8 2重量子ドット-量子細線結合系におけるファノ-近藤効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pYB-6 2次元ヘリウム3における自己凝縮液体相の研究(Restricted geometry・低次元,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 30aYJ-3 2次元ヘリウム3の新奇量子相におけるスピンエコー測定II(30aYJ 二次元He・量子固体・超固体,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 29pZP-2 多層ナノチューブにおける近接場超伝導の構造依存性(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
• 27pVE-12 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトル(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYK-5 二次元電子系発光ピーク分裂エネルギーの電子密度依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pTG-7 低電子密度領域二次元電子系発光による電子・正孔有効質量の増大の検出(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTG-8 非ドープGaAs量子井戸の中性励起子と荷電励起子(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pTA-1 非ドープGaAs量子井戸におけるキャパシタンスと荷電励起子発光の対応(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aYC-7 表面ゲートによって形成される量子ドット列における発光測定(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aWQ-8 ゲートつき非ドープGaAs量子井戸のスピン緩和測定(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 26pWA-8 2次元ヘリウム3の新奇量子相におけるスピンエコー測定(2次元電子・固体^3He,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 24aXA-2 近接場局所光照射による量子ホール端状態の観測 その2(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 25aYM-9 核整列固体ヘリウム3における超音波測定III
• 25p-YA-7 核整列固体ヘリウム3における超音波測定II
• 26aXB-2 2次元ヘリウム3における自己凝縮液体相の研究II(26aXB 低次元系・液面電子,領域6(金属,超低温超伝導・密度波))
• 19aRC-3 空間分解局所光励起下でのGaAs/AlGaAs単一ヘテロ構造の伝導測定(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aTA-10 InAlAs/InGaAsヘテロ構造における負の光伝導(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pPSA-8 n型量子井戸の空間分解光伝導測定(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29aYH-4 パターン形成表面ゲートにより制御された半導体量子ドット
• 21pRD-6 2次元ヘリウム3の局在相近傍におけるパルスNMR測定(固体3He,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 28aUE-4 ペロブスカイト型Ti酸化物にドープされたV,Cr電子の遍歴/局在性(28aUE モット転移,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24pXQ-8 2次元固体ヘリウム3における零点空格子点相の研究(固体の超流動・固体・低次元^3He,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 27aXB-11 バックゲート付き量子井戸における極低電子密度領域での電子有效質量(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18pYJ-13 量子ドット超格子における平坦バンド強磁性
• 18pYJ-12 プラケット型量子ドット超格子における超伝導の可能性
• 25aWQ-9 ゲート付GaAs-AlGaAs非対称二重量子井戸の蛍光寿命のゲート電圧依存性(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 25aWQ-7 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトルの温度依存性II(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 27pVE-9 格子状表面ゲート付き非ドープGaAs量子井戸の発光スペクトル(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 低密度二次元系のキャリア相関の発光測定
• 14aYB-11 バックゲート付き量子井戸における荷電励起子(量子ホール効果, 領域 4)
• 31p-T-2 単結晶Sc金属のNMR測定
• 6a-L-9 Sc金属のスピン-格子緩和時間II
• 15p-P-5 拡張されたVolterra方程式の解とその数値計算
• 30a-Z-7 Volterra方程式の拡張とその差分化(応用数学・力学・流体物理)
• 25pWJ-4 Variation of charged and neutral exciton-photoluminescence intensities with time in GaAs quantum well
• 22pWF-3 Crをドープした(Sr, La)TiO_3の異常ホール効果(Ti酸化物,電界効果,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 27aZC-8 励起子の量子シーソー効果 : 発光測定(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 25aYT-5 分数量子ホール領域におけるバックゲート付き量子井戸中荷電励起子(低次元電子系,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 14pYC-9 ゲート付き Be-δドープ GaAs 量子井戸発光の電子密度依存性 II(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
• 28pYF-9 ゲート付Be-δドープGaAs量子井戸発光の電子密度依存性(量子井戸・超格子)(領域4)
• 28pEG-9 2次元ヘリウム3における自己凝縮液体相の研究III(28pEG Restricted geometry・低次元系,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 25pHD-8 分数量子ホール領域の発光の微細構造(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 13pYC-7 量子ドット列における調節可能な RKKY 交換相互作用(量子ドット : 理論, 領域 4)
• 25aYA-5 半導体ドット列を用いた物質設計
• 25aYA-5 半導体ドット列を用いた物質設計
• 25aK-7 半導体ドット列における強磁性
• 30aYA-4 量子ドットが結合した量子細線の電気伝導特性(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• 22aTM-10 分数量子ホール領域の発光の微細構造(2)(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXC-7 半導体低次元キャリア間相互作用の光学検出(28pXC 領域4,領域5合同シンポジウム:光学測定による半導体中のキャリア間相互作用研究の新展開,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aYC-4 アクセプターをδドープした80nmのGaAs量子井戸におけるゲートによる電荷誘起と電場効果(量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aZC-7 励起子の量子シーソー効果 : 理論(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 22aTH-9 量子ドットデバイスにおける調節可能な近藤遮蔽
• 26pBC-7 グラファイト基板の不均一部分に吸着した局在ヘリウム3の成長過程(26pBC 低次元・Restricted geometry,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 24aBG-5 MnドープInAs pnダイオードにおけるスピン偏極電流(24aBG スピントロニクス(薄膜・ナノ粒子・スピン分極),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 26pCJ-3 ゲートつきGaAs量子井戸の発光微細構造(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pBC-6 2次元ヘリウム3における自己凝縮液体相の研究IV(26pBC 低次元・Restricted geometry,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 26pSA-4 ゲート付GaAs-AlGaAs非対称二重量子井戸の磁場中発光寿命(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pAD-2 2次元ヘリウム3のギャップレス・スピン液体状態の熱容量測定(20pAD 低次元・Restricted geometry,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 18aFB-3 発光線幅から見たトリオン-2次元電子正孔クロスオーバー(18aFB 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18aFB-4 低磁場低電子密度領域における電子占有数に依存したg-因子の増大(18aFB 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pCJ-4 分数量子ホール領域の発光微細構造の温度依存性(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXK-6 InAs(111)A表面In原子によるカゴメ格子状態密度の低温STM観測(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29aEM-3 2次元ヘリウム3のギャップレス・スピン液体状態の熱容量測定II(29aEM 薄膜He,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 29aEM-6 2次元ヘリウム4における超固体性の探索実験(29aEM 薄膜He,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 26aXQ-3 ゲート付非対称二重量子井戸における井戸内および井戸間二次元電子系発光(26aXQ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pDD-7 歪ませて張り付けた単一InPナノワイヤの発光特性(量子井戸・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pDD-8 近接場光学顕微鏡を用いたスピン分裂量子ホール端状態の観測(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aXP-9 球状量子ドットにおけるフントの第二法則(24aXP 量子細線・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク