25aWQ-9 ゲート付GaAs-AlGaAs非対称二重量子井戸の蛍光寿命のゲート電圧依存性(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2010-08-18

著者

• 田村 浩之

  NTT物性基礎研

• 山口 真澄

  NTT物性基礎研

• 赤崎 達志

  NTT物性基礎研

• 野村 晋太郎

  筑波大院数物

• 野村 晋太郎

  筑波大数理物質:ntt物性基礎研

• 宮城 浩一

  筑波大数理物質

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