26aXG-13 光励起下における電子ガス-量子ドット結合系のC-V特性とI-V特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2009-08-18

著者

• 村口 正和

  東北大学際センター

• 高田 幸宏

  筑波大院数物

• 櫻井 蓉子

  筑波大院数物

• 野村 晋太郎

  筑波大院数物

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• 牧原 克典

  広大院先端研

• 池田 弥央

  広大院先端研

• 宮崎 誠一

  広大院先端研

• 遠藤 哲郎

  東北大学際センター

• 野村 晋太郎

  筑波大数理物質:ntt物性基礎研

• 村口 正和

  早大理工

• 宮崎 誠一

  広大院先端物質科学

• 白石 賢二

  筑波大学

• 白石 賢二

  Crest:筑波大数理物質

• 村口 正和

  東北大学際セ:crest-jst

• 櫻井 蓉子

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

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