26pCJ-8 2次元半導体ナノ構造における多電子波束ダイナミクスの検討(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-03-05
著者
-
岩田 潤一
筑波大計科セ
-
小鍋 哲
東理大理
-
村口 正和
東北大学際センター
-
高田 幸宏
筑波大院数物
-
白石 賢二
筑波大院数物
-
村口 正和
早大理工
-
有川 晃弘
筑波大学数理
-
岩田 潤一
筑波大計算センター:crest
-
遠藤 哲郎
東北大スピントロニクス集積化セ:東北大学際セ:crest-jst
-
尹 永択
筑波大物理
-
塩川 太郎
筑波大物理
-
有川 晃弘
東北大スピントロニクス集積化セ
-
村口 正和
東北大学際セ:crest-jst
-
初貝 安弘
筑波大院数物:CREST-JST
-
白石 賢二
筑波大院数物:筑波大計科セ:CREST-JST
-
小鍋 哲
筑波大物理
-
小鍋 哲
筑波大物理:筑波大計科セ:CREST-JST
-
岩田 潤一
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
関連論文
- 23pGL-2 数nm直径Siナノワイヤに対する大規模第一原理電子状態計算(23pGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSA-40 グラフェンナノリボンにおけるオージェ無輻射再結合過程の理論的研究(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aHV-13 2次元電子ガス-量子ドット界面における電子トンネル過程に対する微視的考察(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pGP-2 微傾斜SiC(0001)表面上グラフェンの安定構造と電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pPSA-41 カーボンナノチューブにおける励起子の電場解離光電流の計算(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構(シリコン関連材料の作製と評価)
- 25pPSB-7 円-リング複合型量子ドットのFloquet状態(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pPSB-6 量子ドットに閉じ込められた電子-電子,電子-正孔対の第一原理動力学(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19aTA-6 荷電された量子ドットに入射した電子波束の光支援トンネリング(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pRC-8 荷電された量子リングでの電子波束の共鳴トンネル(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pXL-9 量子リング内へ入射された1電子および2電子波束の動的過程(23pXL 量子ドット(理論II),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19aYC-8 二次元閉じこめ場内における電子励起および光励起支援にともなう電子の時間発展(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 13pYC-9 2 次元放物型量子ドット内電子の振動外場に対する動的応答(量子ドット : 理論, 領域 4)
- 12pPSA-6 量子細線内電子波束の時間発展と電気伝導(領域 4)
- 12pPSA-5 二次元ポテンシャル場に束縛された電子の変調外場に対する動的応答過程(領域 4)
- 26aXG-13 光励起下における電子ガス-量子ドット結合系のC-V特性とI-V特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 30pTX-3 電子ガス-量子ドット結合系における電子ダイナミクスII(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30pTX-2 電子ガス-量子ドット結合系におけるC-V特性およびI-V特性のSweep Rate依存性(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30pTX-1 電子ガス-量子ドット結合系における電子構造II(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aYF-13 電子ガス-量子ドット結合系におけるC-V特性(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
- 23aTA-4 カーボンナノチューブの蛍光スペクトルにおける欠陥効果(23aTA 領域7,領域10合同 ナノチューブ・グラファイトにおける欠陥,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aYF-12 電子ガス-量子ドット結合系における電子ダイナミクス(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
- 20aHQ-12 第一原理電子ダイナミクス計算によるコヒーレントフォノン生成機構の解明(20aHQ 超高速現象・量子井戸,領域5(光物性))
- 21aYF-11 電子ガス・量子ドット結合系における電子状態(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- SiO_2に埋め込まれたフローティングゲートへの多電子注入機構の提案(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 金属/high-k絶縁膜構造トランジスタにおいて金属結晶が閾値電圧ばらつきに及ぼす影響とその抑制(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- MONOS型メモリの電荷蓄積機構の理論的研究(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 24pRC-11 時間依存密度汎関数理論による半導体コヒーレントフォノン生成の振動数依存性の分析(24pRC 超高速現象,領域5(光物性))
- 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 26aYH-11 数nm直径Siナノワイヤに対する大規模第一原理電子状態計算(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28pVC-2 蛋白質の立体構造・電子状態・生物機能の間の相関関係の研究(28pVC 生物物理,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
- 27pXB-10 時間依存密度汎関数理論によるコヒーレントフォノン生成機構の解明(超高速現象,領域5,光物性)
- 30pVA-7 時間依存密度汎関数理論によるコヒーレントフォノン生成の記述(30pVA 超高速現象,領域5(光物性))
- 21aYF-7 数nmサイズSi量子ドットの大規模第一原理計算(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pXB-2 Si複空孔欠陥構造に関する大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25aYH-8 密度汎関数理論に基づくGe/Si(001)界面近傍におけるGe原子空孔の構造(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aYF-14 炭素ナノ物質のキャパシタにおける量子効果(23aYF ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 第一原理計算によるZrB_2基板上GaNエピタキシャル成長の理論的研究(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- 金属電極/高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたhigh-k/metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 極薄シリコン酸化膜におけるストレスリーク電流の物理的起源,AWAD2006)
- 極薄シリコン酸化膜におけるストレスリーク電流の物理的起源
- 極薄シリコン酸化膜におけるストレスリーク電流の物理的起源
- 23pTA-1 カーボンナノチューブの準弾道的フォノン熱伝導に関する現象論的アプローチ(23pTA ナノチューブIII,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aRA-11 カーボンナノチューブの光吸収における不純物効果(24aRA ナノチューブ2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pYC-10 カーボンナノチューブにおける光伝導の励起子効果(ナノチューブ,領域7,分子性固体・有機導体)
- 29pPSB-31 TDDFT-MD法によるレーザー照射下のナノ構造ダイナミクス(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSB-37 時間依存密度汎関数法による分子解離ダイナミクス(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aRF-5 光学格子中のボース原子における断熱冷却/加熱と超流動-ノーマル転移の関係について(量子エレクトロニクス(光学格子系の理論),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 27aSA-5 光学格子中超流動Bose原子気体の不安定性(27aSA 量子エレクトロニクス(BEC理論),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 12aTF-9 Laser probing of single-particle energy gap of a Bose gas in an optical lattice in the Mott insulator phase
- 29aXB-8 Inversion method による Bose-Hubbard model の強結合展開
- 23pXB-4 第一原理計算によるSi/Ge膜中の転位の原子・電子構造(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19aZA-10 電子-イオン系とパルスレーザー場の相互作用の第一原理的記述(超高速現象・非線形光学,領域5,光物性)
- 19aZA-11 強レーザー場によるダイアモンドの誘電破壊の第一原理計算(超高速現象・非線形光学,領域5,光物性)
- 26aWB-10 時間依存密度汎関数法によるバルク固体光応答の実時間シミュレーション(26aWB 超高速現象,領域5(光物性))
- 26aWB-11 強レーザー場による透明素材の絶縁崩壊過程の第一原理計算(26aWB 超高速現象,領域5(光物性))
- 28pRE-9 時間依存密度汎関数法に基づくバルクSiとパルスレーザー場の相互作用の記述(28pRE 超高速現象・非線形光学,領域5(光物性))
- 19pYN-5 時間依存密度汎関数法による励起状態計算(領域10,領域4合同シンポジウム : 電子励起と不純物ダイナミックスのコントロール,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aXF-6 カイラル型カーボンナノチューブの電子構造 II : 螺旋度依存性の詳細
- 30pZB-3 カイラル型カーボンナノチューブの電子構造
- 29pXB-1 強光子場中における多原子分子のイオン化率の第一原理計算
- 23aTE-12 実時間-実空間法による誘電関数の第一原理計算
- 金属電極とHf系高誘電率絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構
- ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 28aTE-8 実空間密度汎関数法における対称性の利用(28aTE 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 28aTH-8 Si(001)ステップ表面におけるカーボンナノチューブの構造及び電子状態(28aTH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aTH-7 密度汎関数理論で解明するSiナノワイヤーの断面形状と電子状態の解明(28aTH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pHD-9 低温におけるSiナノワイヤーの発光特性(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pTB-13 高密度光励起下におけるカーボンナノチューブ光学応答の理論的研究(25pTB ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aHD-7 波束ダイナミクスにおけるスピントランスファートルク(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTM-8 シリコンナノレイヤー中電子正孔液滴発光の膜厚依存性(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aRB-10 時間依存密度汎関数理論による半金属コヒーレントフォノン生成の記述(21aRB 超高速現象,領域5(光物性))
- 21aTM-2 ハートリーフォック近似によるナノ構造中の電子波束ダイナミックス(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTM-1 Suzuki-Trotter法による電子波束ダイナミックスの多体効果(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTM-3 半導体中での波束ダイナミクスの印加電圧依存性(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pTG-10 カーボンナノチューブにおける励起子多体効果(21pTG ナノチューブ2,領域7(分子性固体・有機導体))
- Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 非対称ホーン形状チャネルにおける電流密度の向上 : EMC-MDシミュレーションによる検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 第一原理計算で探るコヒーレントフォノンの生成機構
- シリコンナノワイヤのシミュレーションとπ-CAVEシステムによる可視化(「戦略分野2 : 新物質・エネルギー創成」より) (特集 京コンピュータが実現する可視化)
- 26pCJ-6 Siナノレイヤーの発光寿命の膜厚依存性(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pCE-4 半導体ナノ構造における多電子波束ダイナミクスの印加電圧依存性(27pCE 若手奨励賞・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pPSB-9 BNナノリボンの電子構造のGW計算(25pPSB 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 26pCJ-8 2次元半導体ナノ構造における多電子波束ダイナミクスの検討(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 単層カーボンナノチューブにおける多重励起子生成(最近の研究から)
- 25aCF-7 カーボンナノチューブにおける多重励起子生成(25aCF ナノチューブ(光物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 19pEC-12 キャリアドープした単層カーボンナノチューブにおける励起子位相緩和(19pEC ナノチューブ(光物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aFB-9 ナノ構造中の多電子波束ダイナミクスにおける電子間相互作用の効果(21aFB 量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aFB-10 一次元非一様ポテンシャル中の波束ダイナミクス(21aFB 量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pEC-1 カーボンナノチューブにおける励起子多体相関(19pEC 領域7,領域4,領域5 合同招待講演,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aXJ-10 多軌道tight-binding modelによるシリセンのエッジ状態(27aXJ 領域7,領域4合同 グラフェン(表面界面・新物質),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26dXQ-3 スピン自由度を考慮した多電子波束ダイナミクスにおける電子間相互作用の効果(26pXQ 量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pXQ-4 多電子波束を用いた円電流ダイナミクスへの電子間相互作用の効果(26pXQ 量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29pEN-3 カーボンナノチューブにおける励起子多体効果の理論(29pEN 若手奨励賞受賞記念講演,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aDK-9 多軌道tight-binding modelを用いた積層シリセンの電子状態(グラフェン(新物質・表面界面),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))
- 26aDK-6 単層遷移金属ダイカルコゲナイドの光学応答に関する理論的研究(グラフェン(新物質・表面界面),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))