21pPSA-41 カーボンナノチューブにおける励起子の電場解離光電流の計算(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2010-03-01

著者

• 渡辺 一之

  東理大理

• 小鍋 哲

  東理大理

• 小鍋 哲

  筑波大物理:筑波大計科セ:CREST-JST

関連論文

• 21pPSA-40 グラフェンナノリボンにおけるオージェ無輻射再結合過程の理論的研究(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pPSA-41 カーボンナノチューブにおける励起子の電場解離光電流の計算(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pPSB-52 グラフェントランジスタの輸送特性おけるグラフェン/金属接合の影響(20pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pGL-10 レーザー照射によるナノ構造の選択的分解・脱離の第一原理シミュレーション(20pGL 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pYH-8 非平衡分子動力学法によるピーポッドと多層カーボンナノチューブの熱伝導度計算(29pYH ナノチューブ電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pYH-7 温度勾配をもつカーボンナノチューブにおける質量輸送(29pYH ナノチューブ電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pPSA-53 多層カーボンナノチューブの熱伝導に関する波束打ち込みシミュレーション(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 15aPS-5 時間依存密度汎関数法による炭素ナノ構造の光学吸収スペクトル(領域 9)
• 22aYC-3 ナノ構造の静電容量と電子状態の相関
• 21pRA-6 ナノスケール構造のキャパシタンスの第一原理計算
• 28pZF-3 水素化シリコンクラスターの電界蒸発
• 27pWB-5 カーボンナノチューブからの電界蒸発に関する第一原理計算
• 25pWD-1 空間分割第一原理計算の原理と応用
• 24aPS-2 実空間第一原理計算によるナノスケール系の電界
• 22pPSB-30 グラフェンナノリボンのフォノン伝導に及ぼすSW欠陥の影響 : 非平衡グリーン関数法と波束法による解析(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-42 グラフェンナノリボン素子におけるスピン輸送に関する理論解析(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aRA-13 グラフェンナノリボン素子のトランジスタ特性に関する理論的研究(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 20aPS-71 グラファイトリボンの電気伝導におけるゲート電極の効果(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23aTA-4 カーボンナノチューブの蛍光スペクトルにおける欠陥効果(23aTA 領域7,領域10合同 ナノチューブ・グラファイトにおける欠陥,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pPSB-64 グラファイトリボン中の局所欠陥による完全フォノン反射と渦熱流(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-76 グラファイトリボンの光学吸収スペクトルの計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30pTE-9 グラファイトリボンの有限バイアス電気伝導におけるエッジ状態の役割(30pTE グラファイト・高圧,領域7(分子性固体・有機導体))
• 19aXA-4 グラファイトリボン架橋の有限バイアスでの電気伝導特性(ナノチューブ電子物性・構造,領域7(分子性固体・有機導体))
• 31a-PS-29 Si(100)表面におけるC原子の吸着と進入
• 7a-PS-49 強電界中のSi_nC_m(m+n=5)マイクロクラスターの構造と電子状態
• 6p-B-3 強電界下Si表面と吸着原子との相互作用に関する第一原理電子論
• 29a-PS-12 強電界下におけるC原子とSi表面との相互作用
• 27pPSA-4 ナノ構造からの電界電子放射機構(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 24aPS-84 フラーレンの熱拡散の分子動力学シミュレーション(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pTA-1 カーボンナノチューブの準弾道的フォノン熱伝導に関する現象論的アプローチ(23pTA ナノチューブIII,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pPSA-52 多層カーボンナノチューブとナノピーポッドの熱伝導に関する非平衡分子動力学計算(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30aPS-26 Si(001)4×2-Ga構造のSTMと第一原理計算による研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-31 Si(113)3×1-GaのSTM観察と第一原理計算による解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aRA-11 カーボンナノチューブの光吸収における不純物効果(24aRA ナノチューブ2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pYC-10 カーボンナノチューブにおける光伝導の励起子効果(ナノチューブ,領域7,分子性固体・有機導体)
• 29pPSB-31 TDDFT-MD法によるレーザー照射下のナノ構造ダイナミクス(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSB-37 時間依存密度汎関数法による分子解離ダイナミクス(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-41 光照射による半導体CNTの電気伝導制御(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pPSA-54 カーボンナノチューブの光誘起電気伝導計算(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-70 ゲート電圧によるカーボンナノチューブの電気伝導制御(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• カーボンナノチューブの熱伝導
• 25pPSB-65 局在基底密度汎関数法+非平衡グリーン関数法によるカーボンナノチューブ・デバイスの電気伝導解析(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aYB-8 カーボンナノチューブの熱伝導 : 古典MD法と非平衡グリーン関数法(25aYB チューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pUF-10 ピーポッド安定秩序構造の分子動力学シミュレーション(27pUF ナノチューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 30aTE-1 非平衡フォノングリーン関数法によるナノチューブ熱伝導の解析(30aTE ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28a-W-2 2次元希薄強磁性ハイゼンベルグ模型の修正スピン波理論
• 30aPS-15 炭素ナノ構造からの電界電子放出に関する第一原理計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-28 時間依存密度汎関数法とリカージョン伝達行列法による電界電子放射現象の解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28a-J-3 Siマイクロクラスターの分極率の第一原理計算
• 2p-SPA-3 強電界中Siマイクロクラスターの構造と動力学
• 28a-WC-8 電界中Siマイクロクラスターの電子状態
• 12p-DH-3 強電界中Si原子の吸着と脱離
• 24pPSA-16 分子架橋のアドミッタンスに関するタイトバインディング計算(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18aTJ-7 時間依存密度汎関数法によるグラフェンリボンからの電界電子放射
• 21aPS-85 フラーレン架橋の非弾性電子輸送と分子運動制御(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29p-BPS-64 Si(100)二量体に及ぼす電界効果
• 24a-PS-30 Si(100)表面電子状態に及ぼす電界効果
• 2a-T-1 Si(100)表面電子状態に及ぼす強電界効果
• 28aYX-1 水素吸着カーボンナノチューブに関する第一原理計算 III
• 26a-YR-8 Si(100)step表面におけるIn原子の吸着と電界効果
• 24pTE-3 Jahn-TellerおよびRenner-Teller系の2次非断熱結合係数の考察(24pTE 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 30pZP-3 経験的Force-Constant法による炭素ナノ物質の熱特性の研究(ナノチューブ・ピーポッド)(領域7)
• 15aPS-73 ナノスケール伝導体の電流による熱発生(領域 9)
• 27a-PS-30 ダイヤモンドC(100)表面における水素分子の解離吸着に関する第一原理計算
• 28aYQ-4 ダイヤモンドC(100)表面への水素原子の表面析出に関する第一原理計算
• 25pWD-11 ダイヤモンドC(100)表層部での水素の挙動
• 27aW-7 ダイヤモンド表面における水素原子の挙動に関する第一原理計算
• 30aPS-60 空間分割密度汎関数法による二重接合系電子状態の解析(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-75 カーボンナノチューブを伝導するフォノン波束の分子動力学シミュレーション(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 19aXA-10 構造欠陥を含むカーボンナノチューブの熱伝導シミュレーション(ナノチューブ電子物性・構造,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aPS-119 第一原理計算によるタングステン表面の吸着子構造と仕事関数の相関(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 12aXG-4 金属ナノワイヤーのフォノン熱伝導(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• 2p-RM-1 Josephson接合におけるZero-Field Step特性のFluxon Modelによる解釈
• 30a-L-11 一次元Josephson接合における非線形モードの減衰と異常I-V特性
• 強電界下Si表面原子の動力学に関する第一原理電子論
• 28aPS-18 時間依存密度汎関数法を用いた断熱ポテンシャル面上の力計算(28aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 28aPS-17 多原子分子の非断熱結合係数のTDDFT計算(28aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 27pPSA-51 イオン照射されたグラフェンの電子励起ダイナミクス(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aPS-9 電界電子放射により表面原子に働く力の第一原理計算II(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-7 電界電子放射により表面原子に働く力の第一原理計算(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 31p-PSB-36 強電界下における吸着子拡散の理論
• 25p-M-5 強電界中におけるカーボンナノチューブの電子状態
• 22pPSA-66 円錐交差を持つ多原子系における幾何学的位相のTDDFT計算(22pPSA 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 22pPSA-62 高強度レーザー照射されたビフェニルのねじれ運動(22pPSA 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 29aZB-11 ペンタセン分子性結晶の電子状態に関する第一原理計算
• Si(001)表面上前駆Gaクラスター構造の研究
• 25pPSB-9 BNナノリボンの電子構造のGW計算(25pPSB 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 26pCK-12 時間依存密度汎関数法によるレーザー刺激電界電子放出のシミュレーション(26pCK ナノチューブ・ナノワイヤ・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pPSB-8 Band convergence in TDDFT calculation of nonadiabatic couplings using the h-matrix formulation
• 25pPSB-5 時間依存密度汎関数法を用いたスチルベン分子光異性化過程解析(25pPSB 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 19aPSB-21 Nonadiabatic couplings from time-dependent density functional theory : d-matrix formulation based on linear-response orbitals
• 18aFE-4 時間依存密度汎関数法による窒化ホウ素ナノ構造の誘電関数の計算(18aFE 表面界面電子物性・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 19aPSB-18 Boltzmann方程式を用いたレーザー照射下キャリアダイナミクスのシミュレーション(19aPSB 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 20pPSA-70 BNナノチューブの熱伝導シミュレーション(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
• 27aXK-2 グラフェンの電子回折と透過 : 時間依存密度汎関数法シミュレーション(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pXZA-8 電界電子放射顕微鏡像の第一原理シミュレーション(28pXZA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aKH-9 非断熱結合係数のTDDFT計算におけるTamm-Dancoff近似(電子系1,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 27aJA-9 TDDFT法によるNANOLEEDのシミュレーション(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-48 ナノ構造プラズモンの実空間実時間第一原理シミュレーション(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-17 摂動法による中間励起状態の構築とその応用(30aPS 領域11ポスターセッション,領域11(物性基礎論・統計力学・流体物理・応用数学・社会経済物理))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク