30aPS-26 Si(001)4×2-Ga構造のSTMと第一原理計算による研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-03-04

著者

• 渡辺 一之

  東理大理

• 小林 秀和

  東理大理工

• 原 紳介

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 藤代 博記

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 色川 勝己

  東理大理工

• 三木 裕文

  東理大理工

• 原 紳介

  東理大理工

• 藤代 博記

  東理大基礎工

• 河津 璋

  東理大理工

• 色川 勝巳

  東理大理

• 藤代 博記

  東京理科大学

• 三木 裕文

  東理大

• 藤代 博記

  東京理科大学基礎工学部電子応用工学科

• 藤代 博記

  東京理科大学大学院

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