26a-YR-8 Si(100)step表面におけるIn原子の吸着と電界効果
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1998-09-05
著者
-
渡辺 一之
東理大理
-
河合 孝純
NECナノエレ研
-
河合 孝純
東理大理
-
根城 均
日本IBM
-
根城 均
物質材料研究機構
-
根城 均
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
-
根城 均
金材技研
-
Dong Z.-c.
金材技研
-
根城 均
新技術事業団青野原子制御表面プロジェクト
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