藤代 博記 | 東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

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著作論文

• InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析 (電子デバイス)
• C-10-5 歪み印加時のInAsとInSbの高電界輸送特性に関する理論的解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• C-10-10 モンテカルロ法を用いた物理ベース回路シミュレータによる GaAs-MESFET の雑音解析 (2)
• C-10-9 モンテカルロ法を用いた物理ベース回路シミュレータによる GaAs-MESFET の雑音解析
• C-10-11 Monte Carlo法を用いた物理ベース回路シミュレータによるGaAs-MESFEETのモデリング
• C-10-15 InGaAs MOSFETの駆動電流に及ぼす電子後方散乱の理論的解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 30aPS-26 Si(001)4×2-Ga構造のSTMと第一原理計算による研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-31 Si(113)3×1-GaのSTM観察と第一原理計算による解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 15aPS-44 Si(001)-8xn-Ga(n=4, 5, 6) クラスター内部構造の水素暴露による研究(領域 9)
• 20aPS-33 Si(100)8×5-Ga 構造形成過程の STM 観察
• C-10-7 InGaAs-Channel MOSFETの電子輸送に関する理論的研究(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 歪み印加時のInAsとInSbのバンド構造と電子輸送特性に関する理論的解析(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• C-10-9 InAs HEMTの擬似バリスティック輸送に関する理論的研究(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-18 InGaAs-HEMTの遮断周波数の性能限界に関する理論的検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-1 量子補正モンテカルロ法を用いたナノスケールInGaAs-HEMTの擬似バリスティック輸送の解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• C-10-6 ナノスケールInP-HEMTの量子補正モンテカルロ解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-3 量子効果を考慮したモンテカルロ法によるナノスケールInP-HEMTの解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-3 InAs HEMTの歪み効果に関する理論的研究(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• Si(001)表面上前駆Gaクラスター構造の研究
• C-10-4 モンテカルロ法による傾斜field-plate構造AlGaN/GaN HEMTの遅延時間解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)

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