藤代 博記 | 東京理大

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概要

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関連著者

• 藤代 博記

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 藤代 博記

  東京理科大学

• 藤代 博記

  東京理大

• 石井 隆雄

  東京理科大学基礎工学部電子応用工学科

• 川端 崇裕

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 中山 正博

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 加賀 理恵子

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 原 和秀

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 中山 正博

  東京理科大学基礎工学部電子応用工学科

• 山田 遼平

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 長谷川 雅之

  東京理科大学 基礎工学研究科 電子応用工学専攻

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著作論文

• C-10-10 モンテカルロ法を用いた物理ベース回路シミュレータによる GaAs-MESFET の雑音解析 (2)
• C-10-9 モンテカルロ法を用いた物理ベース回路シミュレータによる GaAs-MESFET の雑音解析
• C-10-11 Monte Carlo法を用いた物理ベース回路シミュレータによるGaAs-MESFEETのモデリング
• C-10-1 量子補正モンテカルロ法を用いたナノスケールInGaAs-HEMTの擬似バリスティック輸送の解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• C-10-6 ナノスケールInP-HEMTの量子補正モンテカルロ解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-3 量子効果を考慮したモンテカルロ法によるナノスケールInP-HEMTの解析(C-10.電子デバイス,一般講演)

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