C-10-3 量子効果を考慮したモンテカルロ法によるナノスケールInP-HEMTの解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-07
著者
-
藤代 博記
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
-
藤代 博記
東京理科大学
-
川端 崇裕
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
-
加賀 理恵子
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
-
原 和秀
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
-
長谷川 雅之
東京理科大学 基礎工学研究科 電子応用工学専攻
-
藤代 博記
東京理大
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