C-10-3 InAs HEMTの歪み効果に関する理論的研究(C-10.電子デバイス,一般セッション)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2011-02-28
著者
-
西野 啓之
東京理科大学
-
町田 史晴
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
-
原 紳介
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
-
藤代 博記
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
-
藤代 博記
東京理科大学
-
佐藤 純
東京理科大学基礎工学部電子応用工学科
-
藤代 博記
東京理科大学基礎工学部電子応用工学科
-
原 紳介
東京理科大学
-
佐藤 純
東京理科大学
-
原 紳介
東京理科大基礎工
-
藤代 博記
東京理科大学大学院
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