Ga/Si(111)表面再構成構造を用いたSi(111)基板上GaSbナノ構造の形成(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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Si基板上のGaSbナノ構造は近赤外の発光素子への応用が期待されており,エピタキシャル成長法による形成の制御技術を確立することが求められている。本研究ではGa/Si(111)表面再構成構造上にGaSbを成長させ,Ga/Si(111)表面がGaSbナノ構造の形成に与える影響をSTMとAFMにより解析した.結果として基板温度350°CにおいてGa/Si(111)-√<3>×√<3>表面上で,高密度かつ均一なGaSbナノ構造の形成が確認された.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-08-01
著者
-
藤代 博記
東京理科大学
-
藤川 紗千恵
東京理科大学
-
三木 裕文
東京理科大学
-
藤代 博記
東京理科大学大学院
-
原 紳介
独立行政法人情報通信研究機構
-
河津 璋
東京電機大学
-
色川 勝己
東京理科大学
-
町田 龍人
東京理科大学
-
戸田 隆介
東京理科大学
-
吉木 圭祐
東京理科大学
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