C-10-18 InGaAs-HEMTの遮断周波数の性能限界に関する理論的検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-09-02
著者
-
原 紳介
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
-
藤代 博記
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
-
池田 尚史
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
-
竹岸 孝之
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
-
山田 遼平
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
-
松本 貴幸
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
-
藤代 博記
東京理科大学
-
藤代 博記
東京理科大学基礎工学部電子応用工学科
-
原 紳介
東京理科大学
-
原 紳介
東京理科大基礎工
-
藤代 博記
東京理科大学大学院
関連論文
- InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析 (電子デバイス)
- C-10-5 歪み印加時のInAsとInSbの高電界輸送特性に関する理論的解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 76GHz帯コプレーナ型MMIC高利得増幅器
- C-10-10 モンテカルロ法を用いた物理ベース回路シミュレータによる GaAs-MESFET の雑音解析 (2)
- C-10-9 モンテカルロ法を用いた物理ベース回路シミュレータによる GaAs-MESFET の雑音解析
- C-10-11 Monte Carlo法を用いた物理ベース回路シミュレータによるGaAs-MESFEETのモデリング
- C-10-15 InGaAs MOSFETの駆動電流に及ぼす電子後方散乱の理論的解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 30aPS-26 Si(001)4×2-Ga構造のSTMと第一原理計算による研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-31 Si(113)3×1-GaのSTM観察と第一原理計算による解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 15aPS-44 Si(001)-8xn-Ga(n=4, 5, 6) クラスター内部構造の水素暴露による研究(領域 9)
- 20aPS-33 Si(100)8×5-Ga 構造形成過程の STM 観察
- C-10-7 InGaAs-Channel MOSFETの電子輸送に関する理論的研究(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 歪み印加時のInAsとInSbのバンド構造と電子輸送特性に関する理論的解析(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- C-10-9 InAs HEMTの擬似バリスティック輸送に関する理論的研究(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-18 InGaAs-HEMTの遮断周波数の性能限界に関する理論的検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-1 量子補正モンテカルロ法を用いたナノスケールInGaAs-HEMTの擬似バリスティック輸送の解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-6 ナノスケールInP-HEMTの量子補正モンテカルロ解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-3 量子効果を考慮したモンテカルロ法によるナノスケールInP-HEMTの解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-3 InAs HEMTの歪み効果に関する理論的研究(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- Si(001)表面上前駆Gaクラスター構造の研究
- C-10-4 モンテカルロ法による傾斜field-plate構造AlGaN/GaN HEMTの遅延時間解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- Si(001)表面上前駆Gaクラスター構造の研究
- C-10-3 InGaAs DG-MOSFETの駆動電流に及ぼすソース/ドレイン拡張領域の影響の解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 量子補正モンテカルロ法による歪みInSb HEMTの遅延時間解析(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 26pPSA-24 STMとDFT計算を用いたMoO_2(010)/Mo(110)櫛状構造の形成に関する考察(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 真空アニール法がAl_2O_3/GaSb MOS界面に与える影響(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- Ga/Si(111)表面再構成構造を用いたSi(111)基板上GaSbナノ構造の形成(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 量子補正モンテカルロ法による歪み InSb HEMTの遅延時間解析