竹岸 孝之 | 東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

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関連著者

• 原 紳介

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 藤代 博記

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 竹岸 孝之

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 藤代 博記

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  東京理科大学基礎工学部電子応用工学科

• 原 紳介

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• 藤代 博記

  東京理科大学大学院

• 山田 遼平

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 松本 貴幸

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 渡辺 久巨

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 渡邉 久巨

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• 本間 嵩広

  東京理科大学

• 渡邉 久巨

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 池田 尚史

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

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著作論文

• C-10-7 InGaAs-Channel MOSFETの電子輸送に関する理論的研究(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-9 InAs HEMTの擬似バリスティック輸送に関する理論的研究(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-18 InGaAs-HEMTの遮断周波数の性能限界に関する理論的検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)

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