藤代 博記 | 東京理科大学基礎工学部電子応用工学科

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• 藤代 博記

  東京理科大学

• 藤代 博記

  東京理科大学基礎工学部電子応用工学科

• 藤代 博記

  東京理科大学大学院

• 原 紳介

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 藤代 博記

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 原 紳介

  東京理科大学

• 原 紳介

  東京理科大基礎工

• 色川 勝己

  東理大理工

• 三木 裕文

  東理大理工

• 河津 璋

  東理大理工

• 色川 勝巳

  東理大理

• 三木 裕文

  東理大

• 渡辺 一之

  東理大理

• 小林 秀和

  東理大理工

• 西野 啓之

  東京理科大学

• 町田 史晴

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 本間 嵩広

  東京理科大学

• 原 紳介

  東理大理工

• 藤代 博記

  東理大基工

• 竹岸 孝之

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 渡辺 久巨

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 渡邉 久巨

  東京理科大学

• 佐藤 純

  東京理科大学基礎工学部電子応用工学科

• 佐藤 純

  東京理科大学

• 川平 一太

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 渡邉 久巨

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 山田 遼平

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 松本 貴幸

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 渡邊 一世

  独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ

• 遠藤 聡

  独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ

• 渡辺 一之

  東京理科大学理学部

• 渡邉 久臣

  東京理科大学

• 原 伸介

  東京理科大学

• 池田 尚史

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 色川 勝己

  東京理科大学理工学部

• 藤代 博記

  東理大基礎工

• 鳥居 仁

  東理大基工

• 藤井 克匡

  理工

• 原 紳介

  理工

• 色川 勝己

  理工

• 三木 裕文

  理工

• 河津 璋

  明治大理工

• 三木 裕文

  東京理科大学理工学部

• 原 和也

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 平澤 勇樹

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 河津 璋

  東京電機大学理工学部

• 原 紳介

  東京理科大学基礎工学部研究科電子応用工学専攻

• 西田 明央

  東京理科大学基礎工学部研究科電子応用工学専攻

• 長谷川 慶

  東京理科大学基礎工学部研究科電子応用工学専攻

• 遠藤 聡

  独立行政法人情報通信研究機構

• 永井 佑太郎

  東京理科大学

• 渡邊 一世

  独立行政法人情報通信研究機構

• 三木 裕文

  東京理科大学

• 河津 璋

  東京電機大学

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  東京理科大学

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著作論文

• C-10-5 歪み印加時のInAsとInSbの高電界輸送特性に関する理論的解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• C-10-15 InGaAs MOSFETの駆動電流に及ぼす電子後方散乱の理論的解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 30aPS-26 Si(001)4×2-Ga構造のSTMと第一原理計算による研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-31 Si(113)3×1-GaのSTM観察と第一原理計算による解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 15aPS-44 Si(001)-8xn-Ga(n=4, 5, 6) クラスター内部構造の水素暴露による研究(領域 9)
• 20aPS-33 Si(100)8×5-Ga 構造形成過程の STM 観察
• C-10-7 InGaAs-Channel MOSFETの電子輸送に関する理論的研究(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 歪み印加時のInAsとInSbのバンド構造と電子輸送特性に関する理論的解析(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• C-10-9 InAs HEMTの擬似バリスティック輸送に関する理論的研究(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-18 InGaAs-HEMTの遮断周波数の性能限界に関する理論的検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-3 InAs HEMTの歪み効果に関する理論的研究(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• C-10-4 モンテカルロ法による傾斜field-plate構造AlGaN/GaN HEMTの遅延時間解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• Si(001)表面上前駆Gaクラスター構造の研究
• C-10-3 InGaAs DG-MOSFETの駆動電流に及ぼすソース/ドレイン拡張領域の影響の解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• 量子補正モンテカルロ法による歪みInSb HEMTの遅延時間解析(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

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