原 紳介 | 東京理科大学
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概要
関連著者
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藤代 博記
東京理科大学
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藤代 博記
東京理科大学基礎工学部電子応用工学科
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原 紳介
東京理科大学
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原 紳介
東京理科大基礎工
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藤代 博記
東京理科大学大学院
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原 紳介
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
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藤代 博記
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
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西野 啓之
東京理科大学
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町田 史晴
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
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竹岸 孝之
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
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渡辺 久巨
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
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渡邉 久巨
東京理科大学
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佐藤 純
東京理科大学基礎工学部電子応用工学科
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佐藤 純
東京理科大学
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川平 一太
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
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本間 嵩広
東京理科大学
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渡邉 久巨
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
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山田 遼平
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
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松本 貴幸
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
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渡辺 一之
東理大理
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渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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渡辺 一之
東京理科大学理学部
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色川 勝己
東理大理工
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三木 裕文
東理大理工
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池田 尚史
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
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色川 勝己
東京理科大学理工学部
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河津 璋
東理大理工
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色川 勝巳
東理大理
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三木 裕文
東京理科大学理工学部
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三木 裕文
東理大
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原 和也
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
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平澤 勇樹
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
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河津 璋
東京電機大学理工学部
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原 紳介
東京理科大学基礎工学部研究科電子応用工学専攻
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西田 明央
東京理科大学基礎工学部研究科電子応用工学専攻
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長谷川 慶
東京理科大学基礎工学部研究科電子応用工学専攻
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遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構
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永井 佑太郎
東京理科大学
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渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構
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三木 裕文
東京理科大学
-
河津 璋
東京電機大学
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色川 勝己
東京理科大学
著作論文
- C-10-5 歪み印加時のInAsとInSbの高電界輸送特性に関する理論的解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-15 InGaAs MOSFETの駆動電流に及ぼす電子後方散乱の理論的解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-7 InGaAs-Channel MOSFETの電子輸送に関する理論的研究(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 歪み印加時のInAsとInSbのバンド構造と電子輸送特性に関する理論的解析(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- C-10-9 InAs HEMTの擬似バリスティック輸送に関する理論的研究(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-18 InGaAs-HEMTの遮断周波数の性能限界に関する理論的検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-3 InAs HEMTの歪み効果に関する理論的研究(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- C-10-4 モンテカルロ法による傾斜field-plate構造AlGaN/GaN HEMTの遅延時間解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- Si(001)表面上前駆Gaクラスター構造の研究
- C-10-3 InGaAs DG-MOSFETの駆動電流に及ぼすソース/ドレイン拡張領域の影響の解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 量子補正モンテカルロ法による歪みInSb HEMTの遅延時間解析(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)