遠藤 聡 | 独立行政法人情報通信研究機構
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概要
関連著者
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遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構
-
渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構
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渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
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松井 敏明
(独)情報通信研究機構
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松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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松井 敏明
独立行政法人 情報通信研究機構
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三村 高志
(株)富士通研究所
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山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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広瀬 信光
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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三村 高志
独立行政法人情報通信研究機構
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広瀬 信光
独立行政法人情報通信研究機構
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山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構
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藤代 博記
東京理科大学
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永井 佑太郎
東京理科大学
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佐藤 純
東京理科大学
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原 紳介
東京理科大基礎工
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笠松 章史
(独)情報通信研究機構
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東脇 正高
独立行政法人情報通信研究機構
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笠松 章史
独立行政法人情報通信研究機構
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笠松 章史
情報通信研究機構
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東脇 正高
カリフォルニア大 サンタバーバラ校
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佐藤 純
東京理科大学基礎工学部電子応用工学科
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藤代 博記
東京理科大学基礎工学部電子応用工学科
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原 紳介
東京理科大学
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藤代 博記
東京理科大学大学院
著作論文
- 4.ナノスケールInGaAs/InAlAs系HEMTを用いた低雑音・高利得ミリ波帯MMIC(最新のミリ波技術の動向)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- CI-1-2 ミリ波帯無線システム技術研究とデバイス技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 量子補正モンテカルロ法による歪みInSb HEMTの遅延時間解析(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 量子補正モンテカルロ法による歪み InSb HEMTの遅延時間解析