松井 敏明 | (独)情報通信研究機構
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概要
関連著者
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松井 敏明
(独)情報通信研究機構
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松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
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松井 敏明
独立行政法人 情報通信研究機構
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松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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三村 高志
(株)富士通研究所
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山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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松井 敏明
情報通信研究機構
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村田 正望
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
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渡邊 一世
情報通信研究機構
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広瀬 信光
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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大森 慎吾
郵政省通信総合研究所
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三村 高志
情報通信研究機構
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遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構
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渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構
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三村 高志
独立行政法人情報通信研究機構
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岸 明子
電気通信大学情報システム学研究科:郵政省通信総合研究所
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松井 敏明
郵政省通信総合研究所
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大森 慎吾
郵政省通信総合研究所横須賀無線通信研究センター
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遠藤 聡
情報通信研究機構
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広瀬 信光
独立行政法人情報通信研究機構
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山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構
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笠松 章史
(独)情報通信研究機構
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笠松 章史
情報通信研究機構
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山下 良美
富士通研究所
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篠原 啓介
情報通信研究機構
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篠原 啓介
情報通信研究機構:(現)hrl Laboratories Llc
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村田 正望
電気通信大学情報システム学研究科
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)愛媛大学
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科
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遠藤 聡
富士通研究所
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
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三村 高志
富士通研究所
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
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東脇 正高
独立行政法人情報通信研究機構
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北田 貴弘
大阪大学大学院基礎工学研究科
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東脇 正高
カリフォルニア大 サンタバーバラ校
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村田 正望
郵政省通信総合研究所(YRC)
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北田 貴弘
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)徳島大学
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松井 敏明
郵政省 通信総合研究所
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笠松 章史
独立行政法人情報通信研究機構
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山下 良美
情報通信研究機構
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小野島 紀夫
NICT
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岸 明子
郵政省通信総合研究所(YRC)
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村田 正望
郵政省 通信総合研究所(YRC)
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岸 明子
郵政省 通信総合研究所(YRC)
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小野島 紀夫
情報通信研究機構
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李 可人
(独)情報通信研究機構
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田中 正人
郵政省通信総合研究所 鹿島宇宙通信センター
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東脇 正高
情報通信研究機構
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田中 正人
独立行政法人情報通信機構
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小野島 紀夫
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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渡邊 一世
NICT
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遠藤 聡
NICT
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山下 良美
NICT
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東脇 正高
NICT
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広瀬 信光
NICT
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広瀬 信光
情報通信研究機構
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大森 慎吾
郵政省 通信総合研究所(YRC)
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松井 敏明
電気通信大学情報システム学研究科
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大森 慎吾
電気通信大学情報システム学研究科
著作論文
- 4.ナノスケールInGaAs/InAlAs系HEMTを用いた低雑音・高利得ミリ波帯MMIC(最新のミリ波技術の動向)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- モンテカルロ計算によるナノゲートInP HEMT中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- A-5-13 UWBパルス信号の無線LANに対する影響の検討(A-5.ワイドバンドシステム,一般講演)
- 高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- CI-1-2 ミリ波帯無線システム技術研究とデバイス技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- InAlAs/In_Ga_As系HEMTの極低温下における超高速動作(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 無線システム技術とミリ波デバイス研究(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- サブ100nmゲートAlGaN/GaN系MIS-HEMTの極低温特性(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波集積回路開発に向けた超高速InP系HEMTの作製(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波帯動作に向けたSiGe/Si HEMTの研究(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波GaNトランジスタの研究開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 尖鋭角パッチを用いた平面放射型発振器
- C-2-7 導体共振器を近接配置した平面放射型発振器
- C-2-6 並列2素子HEMT装荷型平面放射型発振器
- C-2-14 対称扇形パッチを用いた平面放射型発振器 : 二次元アレイ
- C-2-13 対称扇形パッチを用いた平面放射型発振器 : 注入同期特性
- 対称扇形パッチを用いた平面放射型発振器におけるパッチ間隔依存性
- モバイルSQUID脳磁界計測装置の開発--高温超伝導体磁気シールドとSNS素子を用いて (光COE特集)
- A-5-4 ピコ秒台インパルス同期検討のための送受信機の作製(A-5. ワイドバンドシステム,一般セッション)
- 対称扇形パッチを用いた平面放射型発振器の相互結合
- 対称扇形パッチを用いた平面放射型発振器
- アクティブ放射型バタフライアンテナ
- A-5-5 ピコ秒台インパルス無線の多チャンネル識別機構(A-5.ワイドバンドシステム,一般セッション)