笠松 章史 | 情報通信研究機構

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概要

• 同名の論文著者
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関連著者

• 笠松 章史

  情報通信研究機構

• 笠松 章史

  (独)情報通信研究機構

• 笠松 章史

  独立行政法人情報通信研究機構

• 松井 敏明

  (独)情報通信研究機構

• 松井 敏明

  独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ

• 松井 敏明

  独立行政法人 情報通信研究機構

• 遠藤 聡

  独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ

• 松井 敏明

  情報通信研究機構

• 松井 敏明

  情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ

• 広瀬 信光

  独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ

• 三村 高志

  (株)富士通研究所

• 李 可人

  (独)情報通信研究機構

• 笠松 章史

  通信総合研究所

• 松井 敏明

  通信総合研究所

• 遠藤 聡

  情報通信研究機構

• 渡邊 一世

  情報通信研究機構

• 三村 高志

  情報通信研究機構

• 渡邉 大祐

  明治大学大学院 理工学研究科 電気工学専攻

• 矢板 信

  NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 久々津 直哉

  NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 寶迫 巌

  通信総合研究機構

• 渡邊 一世

  独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ

• 山下 良美

  独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ

• 李 可人

  通信総合研究所

• 味戸 克裕

  日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 寶迫 巌

  (独)情報通信研究機構

• 歌川 仁史

  通信総合研究所

• 歌川 仁史

  独立行政法人情報通信研究機構

• 彦坂 康己

  富士通研究所

• 三村 高志

  富士通研究所

• 彦坂 康己

  (株)富士通研究所

• ソン ホジン

  日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 小野島 紀夫

  情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ

• 東脇 正高

  独立行政法人情報通信研究機構

• 小野島 紀夫

  NICT

• 広瀬 信光

  情報通信研究機構

• 河西 和美

  (株)富士通研究所

• 東脇 正高

  カリフォルニア大 サンタバーバラ校

• 小野島 紀夫

  情報通信研究機構

• 味戸 克裕

  TNTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• ソン ホジン

  TNTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 矢板 信

  TNTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 久々津 直哉

  TNTTマイクロシステムインテグレーション研究所

• 三村 高志

  富士通研究所:情報通信研究機構

• 広瀬 信光

  独立行政法人情報通信研究機構

• 山下 良美

  独立行政法人情報通信研究機構

• 遠藤 聡

  独立行政法人情報通信研究機構

• 渡邊 一世

  独立行政法人情報通信研究機構

• 三村 高志

  情報通信研究機構:富士通研究所

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著作論文

• A-5-13 UWBパルス信号の無線LANに対する影響の検討(A-5.ワイドバンドシステム,一般講演)
• UWBシステムとその装置化における課題
• CI-1-2 ミリ波帯無線システム技術研究とデバイス技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
• ミリ波帯動作に向けたSiGe/Si HEMTの研究(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• C-10-6 イオン注入S/Dを用いたサブ100nm SiGe-HEMT
• A-5-4 ピコ秒台インパルス同期検討のための送受信機の作製(A-5. ワイドバンドシステム,一般セッション)
• UWBシステム装置化およびデバイス化の現状と課題 (〔機能材料〕創刊23周年特集 UWB技術の最新動向)
• A-5-14 UWB-IRに適したアクセス制御方式の検討(A-5.ワイドバンドシステム,一般講演)
• A-5-21 UWB-IRにおける低電力制御システムの設計(A-5.ワイドバンドシステム,基礎・境界)
• A-5-5 ピコ秒台インパルス無線の多チャンネル識別機構(A-5.ワイドバンドシステム,一般セッション)
• 拡張された負性抵抗領域を持つメゾスコピック超伝導SNS接合アレー素子のセンサ応用 (マイクロ波)
• IEEE 802.15 Terahertz Interest Group(IGthz)におけるテラヘルツ波通信機器の標準化動向について(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• ED2012-93 歪みと量子閉じ込め効果を考慮したモンテカルロ計算によるナノゲートInGaAs/InAs/InGaAsチャネルHEMTのDC・RF特性(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• CT-1-7 歪みと量子閉じ込め効果を考慮したInP HEMTのモンテカルロ計算(CT-1.化合物半導体電子デバイスのためのデバイスシミュレーション技術,ソサイエティ企画)

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