三村 高志 | 情報通信研究機構
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概要
関連著者
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三村 高志
情報通信研究機構
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松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
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三村 高志
(株)富士通研究所
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松井 敏明
情報通信研究機構
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松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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松井 敏明
(独)情報通信研究機構
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松井 敏明
独立行政法人 情報通信研究機構
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遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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遠藤 聡
情報通信研究機構
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渡邊 一世
情報通信研究機構
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渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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東脇 正高
情報通信研究機構
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東脇 正高
カリフォルニア大 サンタバーバラ校
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小野島 紀夫
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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東脇 正高
独立行政法人情報通信研究機構
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小野島 紀夫
NICT
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小野島 紀夫
情報通信研究機構
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山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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須田 淳
京都大学工学研究科電子工学専攻
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木本 恒暢
京都大学工学部電気電子工学科
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木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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木本 恒暢
京都大学
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須田 淳
京都大学
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木本 恒暢
京大
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山下 良美
情報通信研究機構
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笠松 章史
情報通信研究機構
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広瀬 信光
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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笠松 章史
(独)情報通信研究機構
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山下 良美
富士通研究所
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篠原 啓介
情報通信研究機構
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広瀬 信光
情報通信研究機構
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篠原 啓介
情報通信研究機構:(現)hrl Laboratories Llc
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三村 高志
情報通信研究機構:富士通研究所
著作論文
- モンテカルロ計算によるナノゲートInP HEMT中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- InAlAs/In_Ga_As系HEMTの極低温下における超高速動作(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- サブ100nmゲートAlGaN/GaN系MIS-HEMTの極低温特性(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波集積回路開発に向けた超高速InP系HEMTの作製(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波帯動作に向けたSiGe/Si HEMTの研究(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波GaNトランジスタの研究開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波GaNトランジスタの研究開発
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- CT-1-7 歪みと量子閉じ込め効果を考慮したInP HEMTのモンテカルロ計算(CT-1.化合物半導体電子デバイスのためのデバイスシミュレーション技術,ソサイエティ企画)