渡邊 一世 | 独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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概要
関連著者
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渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
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松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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三村 高志
(株)富士通研究所
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山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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松井 敏明
(独)情報通信研究機構
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松井 敏明
独立行政法人 情報通信研究機構
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渡邊 一世
情報通信研究機構
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松井 敏明
情報通信研究機構
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三村 高志
富士通研究所
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遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構
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渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構
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広瀬 信光
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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山下 良美
富士通研究所
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遠藤 聡
情報通信研究機構
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篠原 啓介
情報通信研究機構
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篠原 啓介
情報通信研究機構:(現)hrl Laboratories Llc
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三村 高志
独立行政法人情報通信研究機構
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遠藤 聡
富士通研究所
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
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三村 高志
情報通信研究機構
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広瀬 信光
独立行政法人情報通信研究機構
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山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構
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彦坂 康己
富士通研究所
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)愛媛大学
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科
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北田 貴弘
大阪大学大学院基礎工学研究科
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北田 貴弘
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)徳島大学
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松井 敏明
通信総合研究所
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篠原 啓介
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
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東脇 正高
独立行政法人情報通信研究機構
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山下 良美
情報通信研究機構
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渡邊 一世
大阪大学大学院基礎工学研究科
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東脇 正高
カリフォルニア大 サンタバーバラ校
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篠原 啓介
通信総合研究所
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笠松 章史
(独)情報通信研究機構
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笠松 章史
独立行政法人情報通信研究機構
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渡邊 一世
NICT
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遠藤 聡
NICT
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山下 良美
NICT
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小野島 紀夫
NICT
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東脇 正高
NICT
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広瀬 信光
NICT
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笠松 章史
情報通信研究機構
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藤代 博記
東京理科大学
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小野島 紀夫
情報通信研究機構
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佐藤 純
東京理科大学基礎工学部電子応用工学科
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藤代 博記
東京理科大学基礎工学部電子応用工学科
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原 紳介
東京理科大学
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永井 佑太郎
東京理科大学
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佐藤 純
東京理科大学
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原 紳介
東京理科大基礎工
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藤代 博記
東京理科大学大学院
著作論文
- 4.ナノスケールInGaAs/InAlAs系HEMTを用いた低雑音・高利得ミリ波帯MMIC(最新のミリ波技術の動向)
- 高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製 (電子デバイス)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- モンテカルロ計算によるナノゲートInP HEMT中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- CI-1-2 ミリ波帯無線システム技術研究とデバイス技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- InAlAs/In_Ga_As系HEMTの極低温下における超高速動作(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 無線システム技術とミリ波デバイス研究(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- サブ100nmゲートAlGaN/GaN系MIS-HEMTの極低温特性(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波集積回路開発に向けた超高速InP系HEMTの作製(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 超高速InP HEMT-500GHzレベルf_T, f_(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- 超高速InP HEMT - 500GHzレベルf_T, f_
- [Invited]InP系HEMTの超高速化技術 : サイドリセス構造最適化および寄生抵抗低減の効果(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]InP系HEMTの超高速化技術 : サイドリセス構造最適化および寄生抵抗低減の効果(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- ナノゲートIn0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算 (電子デバイス)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- ナノゲートIn_Ga_As/InAs/In_Ga_AsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算 : 歪みInAsのバンド構造と2次元電子ガスのセルフコンシステント解析の導入(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 歪みと量子閉じ込め効果を考慮したモンテカルロ計算によるナノゲートInGaAs/InAs/InGaAsチャネルHEMTのDC・RF特性 (電子デバイス)
- 量子補正モンテカルロ法による歪みInSb HEMTの遅延時間解析(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)