松井 敏明 | 情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ

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概要

• 同名の論文著者
• 情報通信研究機構ミリ波デバイスグループの論文著者

関連著者

• 松井 敏明

  情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ

• 松井 敏明

  独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ

• 三村 高志

  (株)富士通研究所

• 遠藤 聡

  独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ

• 山下 良美

  独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ

• 松井 敏明

  情報通信研究機構

• 東脇 正高

  カリフォルニア大 サンタバーバラ校

• 東脇 正高

  独立行政法人情報通信研究機構

• 渡邊 一世

  独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ

• 篠原 啓介

  情報通信研究機構

• 篠原 啓介

  情報通信研究機構:(現)hrl Laboratories Llc

• 広瀬 信光

  独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ

• 松井 敏明

  (独)情報通信研究機構

• 松井 敏明

  独立行政法人 情報通信研究機構

• 松井 敏明

  通信総合研究所

• 冷水 佐壽

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 冷水 佐壽

  大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校

• 彦坂 康己

  富士通研究所

• 三村 高志

  富士通研究所

• 東脇 正高

  情報通信研究機構

• 三村 高志

  情報通信研究機構

• 松井 敏明

  郵政省通信総合研究所

• 清川 雅博

  通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG

• 山下 良美

  富士通研究所

• 渡邊 一世

  情報通信研究機構

• 篠原 啓介

  通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG

• 遠藤 聡

  富士通研究所

• 小野島 紀夫

  NICT

• 小野島 紀夫

  情報通信研究機構

• 篠原 啓介

  通信総合研究所

• 李 可人

  (独)情報通信研究機構

• 小野島 紀夫

  情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ

• 広瀬 信光

  郵政省通信総合研究所

• 遠藤 聡

  独立行政法人情報通信研究機構

• 渡邊 一世

  独立行政法人情報通信研究機構

• 東脇 正高

  通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG

• 三村 高志

  独立行政法人情報通信研究機構

• 安田 浩朗

  通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG

• 彦坂 康己

  富士通株式会社

• 遠藤 聡

  情報通信研究機構

• 山下 良美

  富士通株式会社

• 三村 高志

  富士通株式会社

• 冷水 佐壽

  大阪大学基礎工学部

• 広瀬 信光

  独立行政法人情報通信研究機構

• 山下 良美

  独立行政法人情報通信研究機構

• 須田 淳

  京都大学工学研究科電子工学専攻

• 井筒 雅之

  (独)情報通信研究機構

• 木本 恒暢

  京都大学工学部電気電子工学科

• 清川 雅博

  郵政省通信総合研究所

• 木本 恒暢

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 木本 恒暢

  京都大学

• 須田 淳

  京都大学

• 木本 恒暢

  京大

• 李 可人

  通信総合研究所

• 下村 哲

  大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)愛媛大学

• 下村 哲

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 笠松 章史

  (独)情報通信研究機構

• 村田 正望

  通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG

• 広瀬 信光

  通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG

• 李 可人

  郵政省通信総合研究所

• 井筒 雅之

  郵政省通信総合研究所

• 松井 敏明

  通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスg

• 笠松 章史

  情報通信研究機構

• 遠藤 聡

  富士通株式会社

• 篠原 啓介

  郵政省通信総合研究所

• 東脇 正高

  郵政省通信総合研究所

• 北田 貴弘

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 北田 貴弘

  大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)徳島大学

• 李 可人

  郵政省 通信総合研究所

• 程 崇虎

  郵政省 通信総合研究所

• 松井 敏明

  郵政省 通信総合研究所

• 井筒 雅之

  郵政省 通信総合研究所

• 程 崇虎

  郵政省通信総合研究所

• 池田 圭司

  半導体MIRAIプロジェクト, 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(MIRAI-ASET)

• 池田 圭司

  半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)

• 池田 圭司

  富士通研究所

• 笠松 章史

  独立行政法人情報通信研究機構

• 山下 良美

  情報通信研究機構

• 渡邊 一世

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 湯澤 治信

  郵政省通信総合研究所yrc:(株)木梨電機製作所

• 吉森 茂

  拓殖大学工学部電子システム工学科

• 石橋 忠夫

  NTTエレクトロニクス株式会社

• 河野 勝泰

  電気通信大学電子工学科

• 井筒 雅之

  通信総合研究所

• 和田 靖

  電気通信大学 電気通信学研究科

• 吉森 茂

  拓殖大学工学部

• 川村 光男

  拓殖大学 工学部 電子工学科

• 川村 光男

  拓殖大学工学部電子工学科

• 湯澤 治信

  拓殖大学工学部

• 笠松 章史

  通信総合研究所

• 程 崇虎

  通信総合研究所 基礎先端部門

• 葛 俊祥

  郵政省通信総合研究所

• 張 小潔

  郵政省通信総合研究所

• 石橋 忠夫

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 中村 大

  東工大理工

• サンドゥー アダルシュ

  東工大理工

• 彦坂 康己

  (株)富士通研究所

• 渡邊 一世

  NICT

• 遠藤 聡

  NICT

• 山下 良美

  NICT

• 東脇 正高

  NICT

• 広瀬 信光

  NICT

• 広瀬 信光

  情報通信研究機構

• 和田 靖

  郵政省通信総合研究所YRC

• 吉田 成宏

  郵政省通信総合研究所YRC

• 安田 浩明

  郵政省通信総合研究所YRC

• 湯澤 治信

  郵政省通信総合研究所YRC

• 遠藤 聡

  富土通研究所

• 山下 良美

  富土通研究所

• 彦坂 康己

  富土通研究所

• 三村 高志

  富土通研究所

• 河西 和美

  (株)富士通研究所

• 河野 勝泰

  電気通信大学 電気通信学研究科

• 河野 勝泰

  電気通信大学

• 吉田 成宏

  郵政省通信総合研究所yrc:電気通信大学電気通信学研究科電子工学専攻

• コッケ フィリップ

  郵政省通信総合研究所

• 張 小潔

  郵政省通信総合研究所(crl) : 通信・放送機構(tao)

• 吉森 茂

  拓殖大学工学部電子工学科

• 石橋 忠夫

  Nttエレクトロニクス

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著作論文

• 4.ナノスケールInGaAs/InAlAs系HEMTを用いた低雑音・高利得ミリ波帯MMIC(最新のミリ波技術の動向)
• 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• モンテカルロ計算によるナノゲートInP HEMT中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• リフトオフ法を用いたミリ波薄膜回路部品の精密加工
• フォトニックアンテナとその光ファイバ無線通信システムへの応用 (光COE特集)
• ミリ波通信システムの技術動向と要素技術
• B-1-92 共平面パッチアンテナ
• A・P2000-52 / SAT2000-49 / MW2000-52 セラミック基板を用いたミリ波帯CPWパッチアンテナ
• セラミック基板を用いたミリ波帯CPWパッチアンテナ
• ミリ波サブキャリア光の検波実験
• AlGaN/GaN HEMTを用いた高温用ホール素子に関する研究
• RF-MBE法によるサファイア基板上の高品質InN薄膜成長 : 低温成長InN/GaNバッファー層の効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• RF-MBE法によるサファイア基板上の高品質InN薄膜成長 : 低温成長InN/GaNバッファー層の効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• CI-1-2 ミリ波帯無線システム技術研究とデバイス技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
• ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• InAlAs/In_Ga_As系HEMTの極低温下における超高速動作(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• 無線システム技術とミリ波デバイス研究(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• サブ100nmゲートAlGaN/GaN系MIS-HEMTの極低温特性(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• ミリ波集積回路開発に向けた超高速InP系HEMTの作製(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• ミリ波帯動作に向けたSiGe/Si HEMTの研究(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• ミリ波GaNトランジスタの研究開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• ミリ波通信システムの技術動向と要素技術
• ミリ波通信システムの技術動向と要素技術
• C-10-2 ロードプル法で評価した量子バリアバラクダの3逓倍波発生特性
• ミリ波帯通信装置及び試験評価技術の研究 (横須賀無線通信研究センター特集) -- (ミリ波デバイス)
• C-10-18 量子バリアバラクタによる逓倍波の発生
• 超高速InP HEMT-500GHzレベルf_T, f_(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
• 超高速InP HEMT - 500GHzレベルf_T, f_
• 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• [Invited]InP系HEMTの超高速化技術 : サイドリセス構造最適化および寄生抵抗低減の効果(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
• [Invited]InP系HEMTの超高速化技術 : サイドリセス構造最適化および寄生抵抗低減の効果(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
• 極微細ゲートInP系HEMTの超高速化技術
• 極微細ゲートInP系HEMTの超高速化技術
• C-10-6 イオン注入S/Dを用いたサブ100nm SiGe-HEMT
• 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
• 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
• 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
• 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
• 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
• 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
• InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• ナノゲートトランジスタ--世界最高速InP-HEMT (光COE特集)
• ミリ波GaNトランジスタの研究開発
• XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
• XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
• CS-9-1 ミリ波帯GaNトランジスタの研究開発(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
• 40GHz帯誘電体装荷型ガウシアンビーム発振器の光制御
• 60GHz帯誘電体装荷型ガウシアンビームアンテナ
• 集束媒質を用いたミリ波準光学共振器
• ミリ波サブミリ波帯デバイス技術の研究開発計画と実験施設の概要 (周波数資源の研究開発)
• ミリ波半導体デバイス研究計画 (横須賀無線通信研究センター特集) -- (ミリ波デバイス)
• セラミック基板を用いたミリ波帯CPWパッチアンテナ

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