C-10-6 イオン注入S/Dを用いたサブ100nm SiGe-HEMT
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-20
著者
-
松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
-
三村 高志
(株)富士通研究所
-
笠松 章史
(独)情報通信研究機構
-
笠松 章史
通信総合研究所
-
松井 敏明
通信総合研究所
-
彦坂 康己
富士通研究所
-
彦坂 康己
(株)富士通研究所
-
松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
-
笠松 章史
独立行政法人情報通信研究機構
-
笠松 章史
情報通信研究機構
-
河西 和美
(株)富士通研究所
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