C-10-6 イオン注入S/Dを用いたサブ100nm SiGe-HEMT
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-20
著者
-
松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
-
三村 高志
(株)富士通研究所
-
笠松 章史
(独)情報通信研究機構
-
笠松 章史
通信総合研究所
-
松井 敏明
通信総合研究所
-
彦坂 康己
富士通研究所
-
彦坂 康己
(株)富士通研究所
-
松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
-
笠松 章史
独立行政法人情報通信研究機構
-
笠松 章史
情報通信研究機構
-
河西 和美
(株)富士通研究所
関連論文
- 4.ナノスケールInGaAs/InAlAs系HEMTを用いた低雑音・高利得ミリ波帯MMIC(最新のミリ波技術の動向)
- 高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製 (電子デバイス)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- モンテカルロ計算によるナノゲートInP HEMT中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-2-71 平行結合型準ミリ波UWBバンドパスフィルタの検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
- リフトオフ法を用いたミリ波薄膜回路部品の精密加工
- A-5-13 UWBパルス信号の無線LANに対する影響の検討(A-5.ワイドバンドシステム,一般講演)
- UWBバンドパスフィルタを用いたUWBパルス発生と整形(マイクロ波回路関連, マイクロ波EMC/一般)
- ブロードサイド結合構造を用いた超広帯域バンドパスフィルタ
- C-2-113 Dual-Band超広帯域バンドパスフィルタ(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)