高電子移動度トランジスタ:HEMT
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 4.ナノスケールInGaAs/InAlAs系HEMTを用いた低雑音・高利得ミリ波帯MMIC(最新のミリ波技術の動向)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- モンテカルロ計算によるナノゲートInP HEMT中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高電子移動度トランジスタ : HEMT-の発明
- 高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- InAlAs/In_Ga_As系HEMTの極低温下における超高速動作(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- サブ100nmゲートAlGaN/GaN系MIS-HEMTの極低温特性(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波集積回路開発に向けた超高速InP系HEMTの作製(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波帯動作に向けたSiGe/Si HEMTの研究(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波GaNトランジスタの研究開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 高電子移動度トランジスタ:HEMT
- 超高速HEMT LSI技術 (′88富士通総合技術展特集号)
- 超高速InP HEMT-500GHzレベルf_T, f_(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- 超高速InP HEMT - 500GHzレベルf_T, f_
- 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- [Invited]InP系HEMTの超高速化技術 : サイドリセス構造最適化および寄生抵抗低減の効果(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]InP系HEMTの超高速化技術 : サイドリセス構造最適化および寄生抵抗低減の効果(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 極微細ゲートInP系HEMTの超高速化技術
- 極微細ゲートInP系HEMTの超高速化技術
- C-10-6 イオン注入S/Dを用いたサブ100nm SiGe-HEMT
- 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
- 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
- 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
- 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
- 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
- ナノゲートIn0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算 (電子デバイス)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 湾曲した電流経路をもつ電子空間電荷制限電流の磁気整流効果(技術談話室)
- ミリ波GaNトランジスタの研究開発
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
- XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
- CS-9-1 ミリ波帯GaNトランジスタの研究開発(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
- HEMT・ヘテロ接合素子集積回路への応用 (これからの超LSI技術の展望)
- HEMTの開発ストーリー(ものを作るこころ(第25回))
- 高電子移動度トランジスタ : (HEMT)
- 高電子移動度トランジスタ(HEMT) : n-AlGaAs/GaAsヘテロ接合を用いた新しい電界効果トランジスタ
- HEMTの発明と開発
- 高電子移動度トランジスタ(HEMT)の開発
- HEMT の開発経緯
- HEMT(高電子移動度トランジスタ)の発明と開発経緯
- HEMTの高速性を支配するもの (高速電子デバイスのスイッチング速度の決定機構〔含 コメント〕)
- HEMT--1986 (超格子・多層膜) -- (半導体超格子の応用)
- HEMT--誕生前後 (基礎研究特集号) -- (高分子の圧電・焦電・強誘電性)
- 三村高志のス-パ-デバイスHEMT-4-HEMT LSI:デビュ-へ秒読み
- 三村高志のス-パ-デバイスHEMT-3-HEMTの実用化
- 三村高志のス-パ-デバイスHEMT-1-HEMTの発明
- 三村高志のス-パ-デバイスHEMT-2-HEMT実証への道
- HEMTの開発を振り返る (新時代を迎える学会の対外連携と国際化)
- HEMTの開発を振り返る