高電子移動度トランジスタ : (HEMT)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
近年, 高速コンピューターや高速信号処理などのきわめて高性能なシステムの開発が望まれている.これらシステム実現のため, 素子レベルの高速化に対する期待は大きい.こういう状況の中で, Siに次ぐ高速デバイス用材料として, Siの5倍以上の高い電子移動度を有するGaAsが注目されている.HEMTはGaAsのもつ高電子移動度という特質を極限にまで引き出すことに成功した高速デバイスであり, すでにスイッチング性能として, 室温で16ps, 液体窒素温度で12psという従来のいかなる半導体デバイスよりも高速であり, 夢の素子として世界的に開発が推進されているジョセフソン接合素子に匹敵する高速性能が実現されている.ここでは, とくにディジタル集積回路への応用に限定し, HEMT技術の現状を中心に, 基本素子構造, 動作原理, 将来への展望等について概説する.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1982-08-20
著者
関連論文
- 4.ナノスケールInGaAs/InAlAs系HEMTを用いた低雑音・高利得ミリ波帯MMIC(最新のミリ波技術の動向)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- モンテカルロ計算によるナノゲートInP HEMT中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高電子移動度トランジスタ : HEMT-の発明
- 高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- InAlAs/In_Ga_As系HEMTの極低温下における超高速動作(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- サブ100nmゲートAlGaN/GaN系MIS-HEMTの極低温特性(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波集積回路開発に向けた超高速InP系HEMTの作製(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波帯動作に向けたSiGe/Si HEMTの研究(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波GaNトランジスタの研究開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 高電子移動度トランジスタ:HEMT
- 超高速HEMT LSI技術 (′88富士通総合技術展特集号)
- 超高速InP HEMT-500GHzレベルf_T, f_(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- 超高速InP HEMT - 500GHzレベルf_T, f_
- 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- [Invited]InP系HEMTの超高速化技術 : サイドリセス構造最適化および寄生抵抗低減の効果(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]InP系HEMTの超高速化技術 : サイドリセス構造最適化および寄生抵抗低減の効果(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 極微細ゲートInP系HEMTの超高速化技術
- 極微細ゲートInP系HEMTの超高速化技術
- C-10-6 イオン注入S/Dを用いたサブ100nm SiGe-HEMT
- 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
- 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
- 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
- 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
- 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
- ナノゲートIn0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算 (電子デバイス)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 湾曲した電流経路をもつ電子空間電荷制限電流の磁気整流効果(技術談話室)
- ミリ波GaNトランジスタの研究開発
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
- XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
- CS-9-1 ミリ波帯GaNトランジスタの研究開発(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
- HEMT・ヘテロ接合素子集積回路への応用 (これからの超LSI技術の展望)
- HEMTの開発ストーリー(ものを作るこころ(第25回))
- 高電子移動度トランジスタ : (HEMT)
- 高電子移動度トランジスタ(HEMT) : n-AlGaAs/GaAsヘテロ接合を用いた新しい電界効果トランジスタ
- HEMTの発明と開発
- 高電子移動度トランジスタ(HEMT)の開発
- HEMT の開発経緯
- HEMT(高電子移動度トランジスタ)の発明と開発経緯
- HEMTの高速性を支配するもの (高速電子デバイスのスイッチング速度の決定機構〔含 コメント〕)
- HEMT--1986 (超格子・多層膜) -- (半導体超格子の応用)
- HEMT--誕生前後 (基礎研究特集号) -- (高分子の圧電・焦電・強誘電性)
- 三村高志のス-パ-デバイスHEMT-4-HEMT LSI:デビュ-へ秒読み
- 三村高志のス-パ-デバイスHEMT-3-HEMTの実用化
- 三村高志のス-パ-デバイスHEMT-1-HEMTの発明
- 三村高志のス-パ-デバイスHEMT-2-HEMT実証への道
- HEMTの開発を振り返る (新時代を迎える学会の対外連携と国際化)
- HEMTの開発を振り返る