高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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AlGaN/GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高出力・高耐圧特性に優れるだけでなくミリ波帯(30-300GHz)で動作可能で,将来の超高速.大容量.長距離無線通信用デバイスとして期待されている.今回,三層絶縁膜SiN/SiO_2/SiNを有するAlGaN/GaN系MIS-HEMTの更なる高周波および出力特性の向上を目指し,ゲートの微細化とともにソース・トレイン電極間距離Lsdの短縮化とバリア層薄膜化を行った.その結果,トレイン電流Idと伝達コンダクタンスg_mが増大し,Lsd=1.0μm,ゲート長Lg45nmにおいて電流利得遮断周波数f_T=188GHz,最大発振周波数f_<max>=173GHzに達した.更にLsd=1.0μm,Lg=80nm,ゲート幅Wg=100μmのMIS-HEMTにおいて利得5.1dB,出力電力密度182mW/mmを周波数85GHzで得た.
- 2010-06-10
著者
-
松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
-
渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
広瀬 信光
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
三村 高志
(株)富士通研究所
-
三村 高志
独立行政法人情報通信研究機構
-
松井 敏明
(独)情報通信研究機構
-
松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
-
松井 敏明
独立行政法人 情報通信研究機構
-
広瀬 信光
独立行政法人情報通信研究機構
-
山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構
-
遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構
-
渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構
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