広瀬 信光 | 独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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概要
関連著者
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広瀬 信光
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
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松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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松井 敏明
独立行政法人 情報通信研究機構
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東脇 正高
独立行政法人情報通信研究機構
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東脇 正高
カリフォルニア大 サンタバーバラ校
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渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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三村 高志
(株)富士通研究所
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広瀬 信光
郵政省通信総合研究所
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松井 敏明
郵政省通信総合研究所
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松井 敏明
(独)情報通信研究機構
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清川 雅博
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
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広瀬 信光
独立行政法人情報通信研究機構
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篠原 啓介
情報通信研究機構
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篠原 啓介
情報通信研究機構:(現)hrl Laboratories Llc
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山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構
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遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構
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渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構
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三村 高志
独立行政法人情報通信研究機構
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安田 浩朗
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
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清川 雅博
郵政省通信総合研究所
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李 可人
(独)情報通信研究機構
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李 可人
通信総合研究所
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松井 敏明
通信総合研究所
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篠原 啓介
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
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東脇 正高
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
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村田 正望
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
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広瀬 信光
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
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彦坂 康己
富士通研究所
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
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彦坂 康己
富士通株式会社
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山下 良美
富士通株式会社
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三村 高志
富士通株式会社
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冷水 佐壽
大阪大学基礎工学部
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篠原 啓介
郵政省通信総合研究所
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東脇 正高
郵政省通信総合研究所
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篠原 啓介
通信総合研究所
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安井 浩之
武蔵工業大学
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松山 実
武蔵工業大学
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笠松 章史
(独)情報通信研究機構
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松井 大樹
武蔵工業大学
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歌川 仁史
独立行政法人情報通信研究機構
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小野島 紀夫
NICT
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笠松 章史
情報通信研究機構
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湯澤 治信
郵政省通信総合研究所yrc:(株)木梨電機製作所
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小野島 紀夫
情報通信研究機構
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吉森 茂
拓殖大学工学部電子システム工学科
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河野 勝泰
電気通信大学電子工学科
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和田 靖
電気通信大学 電気通信学研究科
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吉森 茂
拓殖大学工学部
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川村 光男
拓殖大学 工学部 電子工学科
-
川村 光男
拓殖大学工学部電子工学科
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湯澤 治信
拓殖大学工学部
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松井 敏明
情報通信研究機構
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小野島 紀夫
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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三村 高志
情報通信研究機構
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笠松 章史
独立行政法人情報通信研究機構
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渡邊 一世
NICT
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遠藤 聡
NICT
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山下 良美
NICT
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東脇 正高
NICT
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広瀬 信光
NICT
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広瀬 信光
情報通信研究機構
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和田 靖
郵政省通信総合研究所YRC
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吉田 成宏
郵政省通信総合研究所YRC
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安田 浩明
郵政省通信総合研究所YRC
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湯澤 治信
郵政省通信総合研究所YRC
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河野 勝泰
電気通信大学 電気通信学研究科
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河野 勝泰
電気通信大学
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吉田 成宏
郵政省通信総合研究所yrc:電気通信大学電気通信学研究科電子工学専攻
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コッケ フィリップ
郵政省通信総合研究所
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吉森 茂
拓殖大学工学部電子工学科
著作論文
- 4.ナノスケールInGaAs/InAlAs系HEMTを用いた低雑音・高利得ミリ波帯MMIC(最新のミリ波技術の動向)
- 高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製 (電子デバイス)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- リフトオフ法を用いたミリ波薄膜回路部品の精密加工
- ミリ波通信システムの技術動向と要素技術
- C-2-139 複数センサを用いた近距離レーダのための基礎実験(C-2. マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)
- C-2-96 近距離レーダを想定した広帯域反射率測定(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般講演)
- 高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- CI-1-2 ミリ波帯無線システム技術研究とデバイス技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- 無線システム技術とミリ波デバイス研究(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波帯動作に向けたSiGe/Si HEMTの研究(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波通信システムの技術動向と要素技術
- ミリ波通信システムの技術動向と要素技術
- C-10-18 量子バリアバラクタによる逓倍波の発生
- 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
- 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
- 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
- 超高速トランジスタの研究開発--サブミリ波帯インジウム・リン系HEMT (第99回 独立行政法人化と最新の研究成果)
- 40GHz帯誘電体装荷型ガウシアンビーム発振器の光制御
- 60GHz帯誘電体装荷型ガウシアンビームアンテナ
- 集束媒質を用いたミリ波準光学共振器
- ミリ波サブミリ波帯デバイス技術の研究開発計画と実験施設の概要 (周波数資源の研究開発)