東脇 正高 | 独立行政法人情報通信研究機構

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概要

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関連著者

• 東脇 正高

  独立行政法人情報通信研究機構

• 東脇 正高

  カリフォルニア大 サンタバーバラ校

• 松井 敏明

  情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ

• 松井 敏明

  独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ

• 三村 高志

  (株)富士通研究所

• 東脇 正高

  情報通信研究機構

• 松井 敏明

  情報通信研究機構

• 広瀬 信光

  独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ

• 小野島 紀夫

  NICT

• 小野島 紀夫

  情報通信研究機構

• 篠原 啓介

  情報通信研究機構

• 篠原 啓介

  情報通信研究機構:(現)hrl Laboratories Llc

• 山下 良美

  独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ

• 松井 敏明

  通信総合研究所

• 東脇 正高

  通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG

• 小野島 紀夫

  情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ

• 須田 淳

  京都大学工学研究科電子工学専攻

• 彦坂 康己

  富士通研究所

• 冷水 佐壽

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 冷水 佐壽

  大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校

• 遠藤 聡

  独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ

• 木本 恒暢

  京都大学工学部電気電子工学科

• 三村 高志

  富士通研究所

• 木本 恒暢

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 木本 恒暢

  京都大学

• 三村 高志

  情報通信研究機構

• 須田 淳

  京都大学

• 木本 恒暢

  京大

• 李 可人

  (独)情報通信研究機構

• 李 可人

  通信総合研究所

• 広瀬 信光

  郵政省通信総合研究所

• 松井 敏明

  郵政省通信総合研究所

• 松井 敏明

  (独)情報通信研究機構

• 清川 雅博

  通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG

• 篠原 啓介

  通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG

• 村田 正望

  通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG

• 安田 浩朗

  通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG

• 広瀬 信光

  通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG

• 松井 敏明

  通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスg

• 彦坂 康己

  富士通株式会社

• 山下 良美

  富士通株式会社

• 三村 高志

  富士通株式会社

• 冷水 佐壽

  大阪大学基礎工学部

• 篠原 啓介

  郵政省通信総合研究所

• 東脇 正高

  郵政省通信総合研究所

• 松井 敏明

  独立行政法人 情報通信研究機構

• 篠原 啓介

  通信総合研究所

• 渡邊 一世

  独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ

• 池田 圭司

  半導体MIRAIプロジェクト, 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(MIRAI-ASET)

• 池田 圭司

  半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)

• 池田 圭司

  富士通研究所

• 遠藤 聡

  富士通研究所

• 山下 良美

  富士通研究所

• 笠松 章史

  (独)情報通信研究機構

• 中村 大

  東工大理工

• サンドゥー アダルシュ

  東工大理工

• 笠松 章史

  独立行政法人情報通信研究機構

• 渡邊 一世

  NICT

• 遠藤 聡

  NICT

• 山下 良美

  NICT

• 東脇 正高

  NICT

• 広瀬 信光

  NICT

• 笠松 章史

  情報通信研究機構

• 広瀬 信光

  独立行政法人情報通信研究機構

• 山下 良美

  独立行政法人情報通信研究機構

• 遠藤 聡

  独立行政法人情報通信研究機構

• 渡邊 一世

  独立行政法人情報通信研究機構

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著作論文

• ミリ波通信システムの技術動向と要素技術
• AlGaN/GaN HEMTを用いた高温用ホール素子に関する研究
• RF-MBE法によるサファイア基板上の高品質InN薄膜成長 : 低温成長InN/GaNバッファー層の効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• RF-MBE法によるサファイア基板上の高品質InN薄膜成長 : 低温成長InN/GaNバッファー層の効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• CI-1-2 ミリ波帯無線システム技術研究とデバイス技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
• 無線システム技術とミリ波デバイス研究(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• ミリ波GaNトランジスタの研究開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• ミリ波通信システムの技術動向と要素技術
• ミリ波通信システムの技術動向と要素技術
• 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
• 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
• 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
• XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
• CS-9-1 ミリ波帯GaNトランジスタの研究開発(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
• 超高速トランジスタの研究開発--サブミリ波帯インジウム・リン系HEMT (第99回 独立行政法人化と最新の研究成果)
• XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
• ミリ波半導体デバイス研究計画 (横須賀無線通信研究センター特集) -- (ミリ波デバイス)

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