山下 良美 | 富士通研究所
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概要
関連著者
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松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
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山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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三村 高志
(株)富士通研究所
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山下 良美
富士通研究所
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松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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遠藤 聡
富士通研究所
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
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三村 高志
富士通研究所
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
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渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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篠原 啓介
情報通信研究機構
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篠原 啓介
情報通信研究機構:(現)hrl Laboratories Llc
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彦坂 康己
富士通研究所
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松井 敏明
情報通信研究機構
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渡邊 一世
情報通信研究機構
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松井 敏明
通信総合研究所
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松井 敏明
(独)情報通信研究機構
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松井 敏明
独立行政法人 情報通信研究機構
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)愛媛大学
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科
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篠原 啓介
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
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北田 貴弘
大阪大学大学院基礎工学研究科
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北田 貴弘
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)徳島大学
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篠原 啓介
通信総合研究所
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東脇 正高
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
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池田 圭司
半導体MIRAIプロジェクト, 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(MIRAI-ASET)
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池田 圭司
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
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池田 圭司
富士通研究所
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東脇 正高
独立行政法人情報通信研究機構
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渡邊 一世
大阪大学大学院基礎工学研究科
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東脇 正高
カリフォルニア大 サンタバーバラ校
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遠藤 聡
情報通信研究機構
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三村 高志
情報通信研究機構
著作論文
- 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- サブ100nmゲートAlGaN/GaN系MIS-HEMTの極低温特性(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 超高速InP HEMT-500GHzレベルf_T, f_(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- 超高速InP HEMT - 500GHzレベルf_T, f_
- 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- [Invited]InP系HEMTの超高速化技術 : サイドリセス構造最適化および寄生抵抗低減の効果(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]InP系HEMTの超高速化技術 : サイドリセス構造最適化および寄生抵抗低減の効果(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 極微細ゲートInP系HEMTの超高速化技術
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)