彦坂 康己 | 富士通研究所
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概要
関連著者
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彦坂 康己
富士通研究所
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松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
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松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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三村 高志
(株)富士通研究所
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
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篠原 啓介
情報通信研究機構
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篠原 啓介
情報通信研究機構:(現)hrl Laboratories Llc
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遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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松井 敏明
通信総合研究所
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篠原 啓介
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
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遠藤 聡
富士通研究所
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山下 良美
富士通研究所
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三村 高志
富士通研究所
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篠原 啓介
通信総合研究所
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彦坂 康己
富士通株式会社
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山下 良美
富士通株式会社
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三村 高志
富士通株式会社
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冷水 佐壽
大阪大学基礎工学部
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東脇 正高
独立行政法人情報通信研究機構
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東脇 正高
カリフォルニア大 サンタバーバラ校
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渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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広瀬 信光
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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広瀬 信光
郵政省通信総合研究所
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松井 敏明
郵政省通信総合研究所
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遠藤 聡
富士通株式会社
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篠原 啓介
郵政省通信総合研究所
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東脇 正高
郵政省通信総合研究所
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東脇 正高
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
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池田 圭司
半導体MIRAIプロジェクト, 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(MIRAI-ASET)
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松井 敏明
情報通信研究機構
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池田 圭司
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
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池田 圭司
富士通研究所
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渡邊 一世
情報通信研究機構
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渡邊 一世
大阪大学大学院基礎工学研究科
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笠松 章史
(独)情報通信研究機構
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笠松 章史
通信総合研究所
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彦坂 康己
(株)富士通研究所
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笠松 章史
独立行政法人情報通信研究機構
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笠松 章史
情報通信研究機構
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遠藤 聡
富土通研究所
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山下 良美
富土通研究所
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彦坂 康己
富土通研究所
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三村 高志
富土通研究所
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河西 和美
(株)富士通研究所
著作論文
- 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 超高速InP HEMT-500GHzレベルf_T, f_(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- 超高速InP HEMT - 500GHzレベルf_T, f_
- 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- [Invited]InP系HEMTの超高速化技術 : サイドリセス構造最適化および寄生抵抗低減の効果(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]InP系HEMTの超高速化技術 : サイドリセス構造最適化および寄生抵抗低減の効果(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 極微細ゲートInP系HEMTの超高速化技術
- 極微細ゲートInP系HEMTの超高速化技術
- C-10-6 イオン注入S/Dを用いたサブ100nm SiGe-HEMT
- 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
- 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
- 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
- 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
- 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
- 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
- 超高速動作を実現する高電子移動度トランジスタ--HEMTの構造と特性