超高速InP HEMT-500GHzレベルf_T, f_<max>(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
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概要
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極微細ゲートを有するInP系HEMTを作製し, 500GHzレベルの遮断周波数f_T及び最大発振周波数f_<max>を得ることができた. f_Tを高めるために, ゲート長L_gの微細化, ゲート・チャネル間距離dの短縮, 寄生抵抗の低減等を行った. L_g=25nm, d=4nmと微細化することで, f_T=562GHzという現存するトランジスタにおける最高値が得られた. 更に, 寄生抵抗の低減によりL_g=30nmでf_T=547GHzが得られた. またf_<max>を高めるために, ソース側よりもドレイン側のリセス長を長くすることのできる非対称リセス構造の作製方法を開発した. この構造により, f_<max>の最高値としては500GHzが得られた. 今後の一層の高速化のために, InAsチャネルを有するHEMTに関しても言及した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-02-25
著者
-
松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
-
渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
三村 高志
(株)富士通研究所
-
松井 敏明
情報通信研究機構
-
遠藤 聡
富士通研究所
-
山下 良美
富士通研究所
-
彦坂 康己
富士通研究所
-
冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
三村 高志
富士通研究所
-
冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
-
松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
-
渡邊 一世
情報通信研究機構
-
篠原 啓介
情報通信研究機構
-
篠原 啓介
情報通信研究機構:(現)hrl Laboratories Llc
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