三村 高志 | 富士通研究所

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概要

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関連著者

• 三村 高志

  富士通研究所

• 松井 敏明

  独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ

• 三村 高志

  (株)富士通研究所

• 松井 敏明

  情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ

• 遠藤 聡

  独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ

• 山下 良美

  独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ

• 遠藤 聡

  富士通研究所

• 山下 良美

  富士通研究所

• 冷水 佐壽

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 冷水 佐壽

  大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校

• 渡邊 一世

  独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ

• 渡邊 一世

  情報通信研究機構

• 松井 敏明

  情報通信研究機構

• 篠原 啓介

  情報通信研究機構

• 篠原 啓介

  情報通信研究機構:(現)hrl Laboratories Llc

• 彦坂 康己

  富士通研究所

• 松井 敏明

  通信総合研究所

• 東脇 正高

  カリフォルニア大 サンタバーバラ校

• 遠藤 聡

  情報通信研究機構

• 東脇 正高

  独立行政法人情報通信研究機構

• 下村 哲

  大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)愛媛大学

• 下村 哲

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 松井 敏明

  (独)情報通信研究機構

• 篠原 啓介

  通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG

• 東脇 正高

  情報通信研究機構

• 北田 貴弘

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 松井 敏明

  独立行政法人 情報通信研究機構

• 北田 貴弘

  大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)徳島大学

• 篠原 啓介

  通信総合研究所

• 須田 淳

  京都大学工学研究科電子工学専攻

• 木本 恒暢

  京都大学工学部電気電子工学科

• 東脇 正高

  通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG

• 池田 圭司

  半導体MIRAIプロジェクト, 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(MIRAI-ASET)

• 池田 圭司

  半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)

• 池田 圭司

  富士通研究所

• 木本 恒暢

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 木本 恒暢

  京都大学

• 小野島 紀夫

  情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ

• 小野島 紀夫

  NICT

• 渡邊 一世

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 須田 淳

  京都大学

• 小野島 紀夫

  情報通信研究機構

• 木本 恒暢

  京大

• 冷水 佐寿

  富士通研

• 冷水 佐寿

  富士通厚木研

• 笠松 章史

  情報通信研究機構

• 三村 高志

  富士通研究所:情報通信研究機構

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著作論文

• 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 超高速InP HEMT-500GHzレベルf_T, f_(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
• 超高速InP HEMT - 500GHzレベルf_T, f_
• 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• [Invited]InP系HEMTの超高速化技術 : サイドリセス構造最適化および寄生抵抗低減の効果(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
• [Invited]InP系HEMTの超高速化技術 : サイドリセス構造最適化および寄生抵抗低減の効果(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
• 極微細ゲートInP系HEMTの超高速化技術
• InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
• XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
• CS-9-1 ミリ波帯GaNトランジスタの研究開発(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
• 30p-F-1 MBEによる選択ドープしたヘテロ構造の電気的性質
• ナノゲートIn_Ga_As/InAs/In_Ga_AsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算 : 歪みInAsのバンド構造と2次元電子ガスのセルフコンシステント解析の導入(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算 : 歪みInAsのバンド構造と2次元電子ガスのセルフコンシステント解析の導入
• ED2012-93 歪みと量子閉じ込め効果を考慮したモンテカルロ計算によるナノゲートInGaAs/InAs/InGaAsチャネルHEMTのDC・RF特性(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)

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