北田 貴弘 | 大阪大学大学院基礎工学研究科
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概要
関連著者
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)愛媛大学
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
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北田 貴弘
大阪大学大学院基礎工学研究科
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北田 貴弘
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)徳島大学
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松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
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渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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三村 高志
(株)富士通研究所
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松井 敏明
(独)情報通信研究機構
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松井 敏明
情報通信研究機構
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遠藤 聡
富士通研究所
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山下 良美
富士通研究所
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三村 高志
富士通研究所
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松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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渡邊 一世
情報通信研究機構
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篠原 啓介
情報通信研究機構
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篠原 啓介
情報通信研究機構:(現)hrl Laboratories Llc
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松井 敏明
独立行政法人 情報通信研究機構
著作論文
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- MBEによる高指数へテロ界面の形成と素子応用