渡邊 一世 | 情報通信研究機構
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概要
関連著者
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渡邊 一世
情報通信研究機構
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遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
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三村 高志
(株)富士通研究所
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松井 敏明
情報通信研究機構
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松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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遠藤 聡
情報通信研究機構
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松井 敏明
(独)情報通信研究機構
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三村 高志
富士通研究所
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松井 敏明
独立行政法人 情報通信研究機構
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山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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三村 高志
情報通信研究機構
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山下 良美
富士通研究所
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篠原 啓介
情報通信研究機構
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篠原 啓介
情報通信研究機構:(現)hrl Laboratories Llc
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遠藤 聡
富士通研究所
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)愛媛大学
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科
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北田 貴弘
大阪大学大学院基礎工学研究科
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北田 貴弘
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)徳島大学
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彦坂 康己
富士通研究所
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山下 良美
情報通信研究機構
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笠松 章史
情報通信研究機構
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三村 高志
富士通研究所:情報通信研究機構
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三村 高志
情報通信研究機構:富士通研究所
著作論文
- モンテカルロ計算によるナノゲートInP HEMT中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- InAlAs/In_Ga_As系HEMTの極低温下における超高速動作(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- サブ100nmゲートAlGaN/GaN系MIS-HEMTの極低温特性(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波集積回路開発に向けた超高速InP系HEMTの作製(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 超高速InP HEMT-500GHzレベルf_T, f_(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- 超高速InP HEMT - 500GHzレベルf_T, f_
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- ナノゲートIn_Ga_As/InAs/In_Ga_AsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算 : 歪みInAsのバンド構造と2次元電子ガスのセルフコンシステント解析の導入(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算 : 歪みInAsのバンド構造と2次元電子ガスのセルフコンシステント解析の導入
- ED2012-93 歪みと量子閉じ込め効果を考慮したモンテカルロ計算によるナノゲートInGaAs/InAs/InGaAsチャネルHEMTのDC・RF特性(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- CT-1-7 歪みと量子閉じ込め効果を考慮したInP HEMTのモンテカルロ計算(CT-1.化合物半導体電子デバイスのためのデバイスシミュレーション技術,ソサイエティ企画)