松井 敏明 | 情報通信研究機構
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概要
関連著者
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松井 敏明
情報通信研究機構
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松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
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松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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三村 高志
(株)富士通研究所
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松井 敏明
独立行政法人 情報通信研究機構
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松井 敏明
(独)情報通信研究機構
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東脇 正高
情報通信研究機構
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三村 高志
情報通信研究機構
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東脇 正高
カリフォルニア大 サンタバーバラ校
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渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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渡邊 一世
情報通信研究機構
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遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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李 可人
(独)情報通信研究機構
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東脇 正高
独立行政法人情報通信研究機構
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小野島 紀夫
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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小野島 紀夫
NICT
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小野島 紀夫
情報通信研究機構
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山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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三村 高志
富士通研究所
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山下 良美
富士通研究所
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栗田 大輔
東京工業大学
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遠藤 聡
情報通信研究機構
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篠原 啓介
情報通信研究機構
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篠原 啓介
情報通信研究機構:(現)hrl Laboratories Llc
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栗田 大輔
東京工業大学:独立行政法人情報通信研究機構
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李 可人
独立行政法人情報通信研究機構
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須田 淳
京都大学工学研究科電子工学専攻
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木本 恒暢
京都大学工学部電気電子工学科
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遠藤 聡
富士通研究所
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
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木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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木本 恒暢
京都大学
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須田 淳
京都大学
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李 可人
独立行政法人 情報通信研究機構 新世代ワイヤレス研究センター
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木本 恒暢
京大
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栗田 大輔
東京理科大学
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李 可人
通信総合研究所
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)愛媛大学
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科
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笠松 章史
(独)情報通信研究機構
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松井 敏明
通信総合研究所
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笠松 章史
情報通信研究機構
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北田 貴弘
大阪大学大学院基礎工学研究科
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北田 貴弘
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)徳島大学
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赤池 正巳
東京理科大学工学部電気工学科
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栗田 大輔
独立行政法人情報通信研究機構
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湯 建輝
通信総合研究所無線通信部門
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彦坂 康己
富士通研究所
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湯 建輝
University College London
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山下 良美
情報通信研究機構
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赤池 正己
東京理科大学工学部電気工学科
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赤池 正巳
東京理科大学工学部
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広瀬 信光
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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井筒 雅之
(独)情報通信研究機構
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笠松 章史
通信総合研究所
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歌川 仁史
通信総合研究所
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松井 敏明
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスg
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中村 大
東工大理工
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サンドゥー アダルシュ
東工大理工
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歌川 仁史
独立行政法人情報通信研究機構
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笠松 章史
独立行政法人情報通信研究機構
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広瀬 信光
情報通信研究機構
著作論文
- モンテカルロ計算によるナノゲートInP HEMT中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- A-5-13 UWBパルス信号の無線LANに対する影響の検討(A-5.ワイドバンドシステム,一般講演)
- UWBバンドパスフィルタを用いたUWBパルス発生と整形(マイクロ波回路関連, マイクロ波EMC/一般)
- ブロードサイド結合構造を用いた超広帯域バンドパスフィルタ
- C-2-114 マイクロストリップ-CPWブロードサイド結合構造を用いた超広帯域バンドパスフィルタ(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-2-113 Dual-Band超広帯域バンドパスフィルタ(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- UWBシステムとその装置化における課題
- フォトニックアンテナとその光ファイバ無線通信システムへの応用 (光COE特集)
- SA-3-9 UWB アンテナ特性の周波数領域・時間領域測定
- B-1-244 背面給電共平面パッチアンテナ
- AlGaN/GaN HEMTを用いた高温用ホール素子に関する研究
- 薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- InAlAs/In_Ga_As系HEMTの極低温下における超高速動作(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- サブ100nmゲートAlGaN/GaN系MIS-HEMTの極低温特性(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波集積回路開発に向けた超高速InP系HEMTの作製(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波帯動作に向けたSiGe/Si HEMTの研究(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波GaNトランジスタの研究開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 超高速InP HEMT-500GHzレベルf_T, f_(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- 超高速InP HEMT - 500GHzレベルf_T, f_
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- ミリ波GaNトランジスタの研究開発
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
- XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
- CS-9-1 ミリ波帯GaNトランジスタの研究開発(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
- UWBバンドパスフィルタを用いたUWBパルス発生と整形(マイクロ波回路関連, マイクロ波EMC/一般)