木本 恒暢 | 京大
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概要
関連著者
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木本 恒暢
京大
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木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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須田 淳
京都大学工学研究科電子工学専攻
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木本 恒暢
京都大学工学部電気電子工学科
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木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科
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木本 恒暢
京都大学工学研究科
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松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
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三村 高志
(株)富士通研究所
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東脇 正高
情報通信研究機構
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松井 敏明
情報通信研究機構
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木本 恒暢
京都大学
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松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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小野島 紀夫
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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小野島 紀夫
NICT
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須田 淳
京都大学
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東脇 正高
カリフォルニア大 サンタバーバラ校
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小野島 紀夫
情報通信研究機構
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松波 弘之
京都大学工学部
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登尾 正人
京都大学工学研究科電子工学専攻
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東脇 正高
独立行政法人情報通信研究機構
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吉岡 裕典
京都大学工学研究科電子工学専攻
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三村 高志
情報通信研究機構
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石川 順三
Dep. Of Electronics And Information Engineering Chubu Univ.
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辻 博司
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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石川 順三
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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松波 弘之
京都大学工学部電気電子工学教室
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TSUJII Hirohiko
Research Center for Charged Particle Therapy, National Institute of Radiological Sciences
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三村 高志
富士通研究所
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松波 弘之
科学技術振興機構 研究成果活用プラザ京都
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酒井 滋樹
日新イオン機器株式会社
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中野 佑紀
ローム株式会社研究開発本部
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科
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辻 博司
Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University
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Tsuji Hiroshi
Department Of Electronics And Information Systems Osaka University
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Tsujii Hirohiko
Research Center For Charged Particle Therapy National Institute Of Radiological Sciences
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竹内 光明
独立行政法人科学技術振興機構イノベーションプラザ京都
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吉岡 裕典
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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中野 佑紀
京大院・工
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Hirama Toshiyasu
Research Center For Charged Particle Therapy National Institute Of Radiological Sciences
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Tsujii Hirohiko
バングラデシュ
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須田 淳
JSTさきがけ
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木本 恒暢
京大院・工
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Tsujii Hirohiko
Division Of Radiation Medicine National Institute Fo Radiological Sciences
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辻 博司
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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石川 順三
京都大学大学院工学研究科
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辻 博司
京都大学大学院工学研究科
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松波 弘之
京都大学工学研究科
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中村 俊一
京都大学工学研究科電子工学
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河野 広明
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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須田 淳
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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神崎 庸輔
京都大学工学研究科電子工学専攻
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海藤 淳司
京都大学工学研究科電子工学
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大和田 淳
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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長尾 昌善
独立行政法人産業技術総合研究所
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中村 俊一
京都大学工学研究科
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竹内 光明
JSTイノベーションプラザ京都
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酒井 善基
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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南園 悠一郎
京都大学工学研究科電子工学専攻
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森岡 直也
京都大学工学研究科電子工学専攻
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西野 弘師
京都大学工学部
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長尾 昌善
独立行政法人 産業技術総合研究所
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須田 淳
京都大学大学院工学研究科
著作論文
- 多重RESURF構造を用いた横型SiC MOSFETのドーズ最適化(半導体Si及び関連材料・評価)
- MOS界面の異方性を活用した高耐圧SiCトランジスタ (特集 異方性工学のすすめ(3)プロセスと異方性)
- 4H-SiC{0001}近傍面へのホモエピタキシャル成長(半導体エレクトロニクス)
- 4H-SiC RESURF MOSFETにおける最適ドーズ設計(シリコン関連材料の作製と評価)
- 短チャネル4H-SiC MOSFETの作製と短チャネル効果の理論的解析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 新しいチャネル構造を持つ4H-SiC MOSFET (SC-MOSFET)の作製(半導体Si及び関連材料・評価)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
- XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
- シリコン微小電子源のイオンビーム空間電荷中和への応用(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 半球形阻止電界型エネルギー分析器を用いたシリコン電界放出電子源のエネルギー分析
- ホール効果測定による極薄SOIにおけるキャリア散乱要因の検討(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ホール効果測定による極薄SOIにおけるキャリア散乱要因の検討(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- シリコンを超える省エネルギー・パワーデバイス用半導体材料(創立110周年記念 活躍する材料-未来を拓く材料技術の最前線-)
- SiCパワーデバイス研究開発の現状と将来展望(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- SiCパワーデバイス研究開発の現状と将来展望(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 立体ゲート構造を用いたSiC MOSFETの特性向上(シリコン関連材料の作製と評価)
- 半導体シリコンカーバイドの結晶成長と物性に見られる異方性 (特集 異方性工学のすすめ(1)構造と異方性)
- ダブルRESURF構造を用いた横型高耐圧SiC MOSFETの低オン抵抗化(シリコン関連材料の作製と評価)
- 分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- MOSFETのしきい値電圧および理論計算から求めたSiナノワイヤのバンドギャップ(シリコン関連材料の作製と評価)
- 27pC8 Sicステップ制御エピタキシーの律速過程(気相成長IV)
- Silicide, Metallization and Silicon Carbide(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))