登尾 正人 | 京都大学工学研究科電子工学専攻

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概要

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関連著者

• 須田 淳

  京都大学工学研究科電子工学専攻

• 木本 恒暢

  京都大学工学部電気電子工学科

• 木本 恒暢

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 登尾 正人

  京都大学工学研究科電子工学専攻

• 木本 恒暢

  京都大学工学研究科

• 木本 恒暢

  京大

• 松波 弘之

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 松波 弘之

  科学技術振興機構 研究成果活用プラザ京都

• 神崎 庸輔

  京都大学工学研究科電子工学専攻

• 南園 悠一郎

  京都大学工学研究科電子工学専攻

• 吉岡 裕典

  京都大学工学研究科電子工学専攻

• 木本 恒暢

  京都大学大学院工学研究科

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著作論文

• 多重RESURF構造を用いた横型SiC MOSFETのドーズ最適化(半導体Si及び関連材料・評価)
• 短チャネル4H-SiC MOSFETの作製と短チャネル効果の理論的解析(シリコン関連材料の作製と評価)
• 立体ゲート構造を用いたSiC MOSFETの特性向上(シリコン関連材料の作製と評価)
• ダブルRESURF構造を用いた横型高耐圧SiC MOSFETの低オン抵抗化(シリコン関連材料の作製と評価)

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