吉岡 裕典 | 京都大学工学研究科電子工学専攻

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  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

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著作論文

• ホール効果測定による極薄SOIにおけるキャリア散乱要因の検討(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• ホール効果測定による極薄SOIにおけるキャリア散乱要因の検討(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• 立体ゲート構造を用いたSiC MOSFETの特性向上(シリコン関連材料の作製と評価)
• MOSFETのしきい値電圧および理論計算から求めたSiナノワイヤのバンドギャップ(シリコン関連材料の作製と評価)

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