木本 恒暢 | 京都大学工学部電気電子工学科
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概要
関連著者
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木本 恒暢
京都大学工学部電気電子工学科
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木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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木本 恒暢
京都大学工学研究科
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松波 弘之
京都大学工学部電気電子工学教室
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松波 弘之
京都大学工学部
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松波 弘之
京都大学工学研究科
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須田 淳
京都大学工学研究科電子工学専攻
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松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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木本 恒暢
京大
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木本 恒暢
京都大学
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須田 淳
京都大学
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松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
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三村 高志
(株)富士通研究所
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東脇 正高
情報通信研究機構
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松井 敏明
情報通信研究機構
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中村 俊一
京都大学工学研究科電子工学
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矢野 裕司
京都大学工学研究科 電子物性工学専攻
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矢野 裕司
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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小野島 紀夫
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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小野島 紀夫
NICT
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中村 俊一
京都大学工学研究科
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東脇 正高
カリフォルニア大 サンタバーバラ校
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植田 康之
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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小野島 紀夫
情報通信研究機構
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木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科
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登尾 正人
京都大学工学研究科電子工学専攻
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小杉 肇
京都大学工学研究科電子工学
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飯田 倫之
京都大学工学研究科 電子物性工学専攻
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宮本 直
京都大学
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金廣 正彦
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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金廣 正彦
京都大学工学研究科 電子物性工学専攻
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東脇 正高
独立行政法人情報通信研究機構
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冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
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加藤 正史
名古屋工業大学
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市村 正也
名古屋工業大学機能工学専攻
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松波 弘之
京大工
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孫 雲華
京都大学工学研究科 電子物性工学
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平尾 太一
京都大学工学研究科 電子物性工学専攻
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平尾 太一
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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荒井 英輔
名古屋工業大学大学院工学研究科
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宮本 直
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
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三村 高志
情報通信研究機構
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森泉 和也
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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田中 正一
名古屋工業大学
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西 佑介
京都大学工学研究科電子工学専攻
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佐原 隆介
京都大学工学研究科 電子物性工学専攻
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荒井 英輔
名古屋工業大学
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木本 恒暢
京都大学工学研究科電子工学専攻:京都大学光・電子理工学教育研究センター
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市村 正也
名古屋工業大学、機能工学専攻
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市村 正也
名古屋工業大学
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田村 聡之
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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三村 高志
富士通研究所
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神崎 庸輔
京都大学工学研究科電子工学専攻
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藤平 景子
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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岩田 達哉
京都大学工学研究科電子工学専攻
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山本 敏之
京都大学工学研究科電子物性工学教室
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渡辺 直樹
京都大学
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伊藤 利道
大阪大学工学部電気工学科
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松波 弘之
科学技術振興機構 研究成果活用プラザ京都
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海藤 淳司
京都大学工学研究科電子工学
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根来 佑樹
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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三浦 峰生
京都大学工学研究科 電子物性工学専攻
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根来 佑樹
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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竹村 治
京都大学工学部
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伊藤 明
京都大学工学部
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日吉 透
京都大学工学研究科電子工学専攻
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堀 勉
日立金属株式会社磁性材料研究所
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伊藤 利道
大阪大学
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鈴木 亮太
京都大学工学研究科電子工学専攻
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伊藤 明
京都大学電子物性工学教室
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竹村 治
京都大学電子物性工学教室
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松波 弘之
京都大学 工学研究科
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南園 悠一郎
京都大学工学研究科電子工学専攻
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吉岡 裕典
京都大学工学研究科電子工学専攻
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木本 恒暢
京都大学工学研究科電子工学専攻
著作論文
- 多重RESURF構造を用いた横型SiC MOSFETのドーズ最適化(半導体Si及び関連材料・評価)
- SiC結晶多形のステップ制御成長とステップダイナミクス : 招待講演
- 多形を有する半導体SiC単結晶のステップ制御エピタキシ-
- 光電気化学エッチングにより作製した静電駆動単結晶SiCブリッジ構造
- 4H-SiC{0001}近傍面へのホモエピタキシャル成長(半導体エレクトロニクス)
- 短チャネル4H-SiC MOSFETの作製と短チャネル効果の理論的解析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 新しいチャネル構造を持つ4H-SiC MOSFET (SC-MOSFET)の作製(半導体Si及び関連材料・評価)
- SiCを用いた高耐圧RESURF MOSFETの設計と作製(半導体Si及び関連材料・評価)
- プラズマ酸化法を用いた高品質シリコン酸化膜の形成
- リモートプラズマ酸化法を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
- SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
- リモートプラズマ酸化法を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
- SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
- SiCへの高エネルギーAl, Bイオン注入による深い接合の形成
- パワーデバイスに向けたSiC超接合構造の作製と特性解析
- SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
- リモートプラズマ法によるシリコン酸化膜の低温形成とその特性評価
- SiCへのAl、Pイオン注入による低抵抗層の形成と高耐圧ダイオードの作製
- 高純度SiCのエピタキシャル成長とパワーデバイス応用
- 高純度SiCのエピタキシャル成長とパワーデバイス応用
- 金属/4H-SiCショットキー障壁高さの精密決定
- リモートプラズマ法によるシリコン酸化膜の低温形成とその特性評価
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
- XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
- 傾斜メサ構造とJTE領域を有する10kV SiC PiNダイオード(シリコン関連材料の作製と評価)
- 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気伝導特性(シリコン関連材料の作製と評価)
- 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜中の欠陥準位の検出(シリコン関連材料の作製と評価)
- 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気的特性の組成依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜の構造および電気特性へのアニール効果(シリコン関連材料の作製と評価)
- ワイドバンドギャップ半導体(2) : SiC/ダイヤモンド(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
- ED2000-49 / SDM2000-49 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
- 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
- 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
- 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
- SiCホモエピタキシャル成長における面方位依存性 : 気相成長III
- 高品位SiC単結晶のステップ制御エピタキシャル成長 : 気相成長III
- SiC のステップ制御エピタキシャル成長とステップダイナミクス
- 28aB10 SiC結晶成長における核発生とステップ・ダイナミクス(基礎V)
- 28aB9 微傾斜SiC{0001}面上成長モデル(基礎V)
- 27pC9 ステップ制御エピタキシーによるSiCの単結晶成長(気相成長IV)
- 立体ゲート構造を用いたSiC MOSFETの特性向上(シリコン関連材料の作製と評価)
- ダブルRESURF構造を用いた横型高耐圧SiC MOSFETの低オン抵抗化(シリコン関連材料の作製と評価)