抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜中の欠陥準位の検出(シリコン関連材料の作製と評価)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
抵抗変化特性を有するニッケル酸化物(NiO)薄膜が,抵抗変化型不揮発陛メモリ(ReRAM)用材料の一つとして近年大いに注目されている.本研究では,p型半導体としてのNiO薄膜をn型シリコン基板上に堆積してpn接合を作製し,アドミックンス法という手法を用いて電気伝導に寄与するキャリアが存在しうる欠陥準位の深さや密度を検出した.酸素組成が1.07であるNiO薄膜において,室温における放出時定数2.3μsである単一の欠陥準位が,価電子帯端からの深さ約170meVに存在していることがわかった.この値は,Pt/NiO_<1.07>/Pt積層構造の初期状態もしくは高抵抗状態での抵抗の活性化エネルギーと同等であり,正孔をトラップする深さ170meVの位置に存在する欠陥準位からの正孔の熱励起によるバンド伝導を示唆するものと考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-11-27
著者
-
木本 恒暢
京都大学工学部電気電子工学科
-
木本 恒暢
京都大学工学研究科
-
西 佑介
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
岩田 達哉
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
木本 恒暢
京都大学工学研究科電子工学専攻:京都大学光・電子理工学教育研究センター
関連論文
- 多重RESURF構造を用いた横型SiC MOSFETのドーズ最適化(半導体Si及び関連材料・評価)
- SiC結晶多形のステップ制御成長とステップダイナミクス : 招待講演
- 多形を有する半導体SiC単結晶のステップ制御エピタキシ-
- 光電気化学エッチングにより作製した静電駆動単結晶SiCブリッジ構造
- 4H-SiC{0001}近傍面へのホモエピタキシャル成長(半導体エレクトロニクス)
- 短チャネル4H-SiC MOSFETの作製と短チャネル効果の理論的解析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 新しいチャネル構造を持つ4H-SiC MOSFET (SC-MOSFET)の作製(半導体Si及び関連材料・評価)
- SiCを用いた高耐圧RESURF MOSFETの設計と作製(半導体Si及び関連材料・評価)
- プラズマ酸化法を用いた高品質シリコン酸化膜の形成
- リモートプラズマ酸化法を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
- SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
- リモートプラズマ酸化法を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
- SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
- SiCへの高エネルギーAl, Bイオン注入による深い接合の形成
- パワーデバイスに向けたSiC超接合構造の作製と特性解析
- SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
- リモートプラズマ法によるシリコン酸化膜の低温形成とその特性評価
- SiCへのAl、Pイオン注入による低抵抗層の形成と高耐圧ダイオードの作製
- 高純度SiCのエピタキシャル成長とパワーデバイス応用
- 高純度SiCのエピタキシャル成長とパワーデバイス応用
- 金属/4H-SiCショットキー障壁高さの精密決定
- リモートプラズマ法によるシリコン酸化膜の低温形成とその特性評価
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
- XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
- 傾斜メサ構造とJTE領域を有する10kV SiC PiNダイオード(シリコン関連材料の作製と評価)
- 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気伝導特性(シリコン関連材料の作製と評価)
- 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜中の欠陥準位の検出(シリコン関連材料の作製と評価)
- 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気的特性の組成依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜の構造および電気特性へのアニール効果(シリコン関連材料の作製と評価)
- ワイドバンドギャップ半導体(2) : SiC/ダイヤモンド(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
- ED2000-49 / SDM2000-49 酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
- 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
- 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
- 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2
- SiCホモエピタキシャル成長における面方位依存性 : 気相成長III
- 高品位SiC単結晶のステップ制御エピタキシャル成長 : 気相成長III
- SiC のステップ制御エピタキシャル成長とステップダイナミクス
- 28aB10 SiC結晶成長における核発生とステップ・ダイナミクス(基礎V)
- 28aB9 微傾斜SiC{0001}面上成長モデル(基礎V)
- 27pC9 ステップ制御エピタキシーによるSiCの単結晶成長(気相成長IV)
- 立体ゲート構造を用いたSiC MOSFETの特性向上(シリコン関連材料の作製と評価)
- Material Report ワイドギャップ半導体シリコンカーバイド(SiC)の結晶成長とデバイス開発の現状
- ダブルRESURF構造を用いた横型高耐圧SiC MOSFETの低オン抵抗化(シリコン関連材料の作製と評価)
- 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気的特性の組成依存性
- 真空中での熱処理によるPt/NiO/Pt抵抗変化素子の電気的特性変化(シリコン関連材料の作製と評価)
- MOSFETのしきい値電圧および理論計算から求めたSiナノワイヤのバンドギャップ(シリコン関連材料の作製と評価)
- 高耐圧パワーデバイス応用を目指したSiCのエピタキシャル成長と欠陥制御
- 27pC8 Sicステップ制御エピタキシーの律速過程(気相成長IV)
- 抵抗変化型メモリ用Pt/NiO/Pt素子におけるフィラメント形成領域の特定とその評価 (シリコン材料・デバイス)
- 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 長方形断面Siナノワイヤの伝導帯構造の断面形状およびサイズ依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- 抵抗変化型メモリ用Pt/NiO/Pt素子におけるフィラメント形成領域の特定とその評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- 抵抗変化型メモリ用Pt/NiO/Pt素子におけるフィラメント形成領域の特定とその評価
- 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長
- 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長
- 長方形断面Siナノワイヤの伝導帯構造の断面形状およびサイズ依存性
- 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長
- Silicide, Metallization and Silicon Carbide(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
- 金属/TiO2/金属積層構造の抵抗スイッチング特性に対する電極材料の影響(シリコン関連材料の作製と評価)