抵抗変化型メモリ用Pt/NiO/Pt素子におけるフィラメント形成領域の特定とその評価(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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Conductive-AFMを用いて,Pt/NiO/Pt抵抗変化素子に形成されたフィラメントを直接観察した.Pt/NiO/Pt素子をフォーミングしたところ,NiO薄膜の一部に変質領域(隆起あるいは陥没)がみられた.変質領域は直径約1μmであり,フィラメントはこの変質領域の周辺部に主に存在していることがわかった.ひとつの変質領域につき数本から10数本のフィラメントが存在する.その面積は典型的なもので2500nm^2であり,およそ200nm^2から20000nm^2の範囲の面積を有する,さらに,低抵抗状態においては,10mΩcmのオーダの抵抗率を有するフィラメントが主に電流を担っており,抵抗値の違いはその面積および形状の変化に起因することが示唆された.
- 2011-12-09
著者
-
木本 恒暢
京都大学工学研究科
-
西 佑介
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
岩田 達哉
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
木本 恒暢
京都大学工学研究科電子工学専攻:京都大学光・電子理工学教育研究センター
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