金属/TiO2/金属積層構造の抵抗スイッチング特性に対する電極材料の影響(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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上部電極/TiO$_2$/Pt積層構造において、上部電極材料が抵抗スイッチング現象に与える影響について調べた。上部電極としてPt、Ag、Alを用いた場合に、それぞれノンポーラ型、バイポーラ型、不安定なノンポーラ型の動作を示した。Pt、Ag上部電極をカソードとして用いると類似のRS特性が確認された。このことから、Pt、AgのRSはアノード界面近傍で起こっていること示唆される。Al上部電極をカソードとして用いた場合は、フォーミングオフとなり、続くRSも不安定であった。これは、Al/TiO_2界面で発生する酸化還元反応が影響していると考える。
- 2012-11-30
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