岩田 達哉 | 京都大学工学研究科電子工学専攻
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概要
関連著者
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岩田 達哉
京都大学工学研究科電子工学専攻
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木本 恒暢
京都大学工学研究科
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西 佑介
京都大学工学研究科電子工学専攻
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木本 恒暢
京都大学工学研究科電子工学専攻:京都大学光・電子理工学教育研究センター
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木本 恒暢
京都大学工学部電気電子工学科
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沖元 直樹
京都大学工学研究科電子工学専攻
著作論文
- 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜中の欠陥準位の検出(シリコン関連材料の作製と評価)
- 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気的特性の組成依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気的特性の組成依存性
- 真空中での熱処理によるPt/NiO/Pt抵抗変化素子の電気的特性変化(シリコン関連材料の作製と評価)
- 抵抗変化型メモリ用Pt/NiO/Pt素子におけるフィラメント形成領域の特定とその評価 (シリコン材料・デバイス)
- 抵抗変化型メモリ用Pt/NiO/Pt素子におけるフィラメント形成領域の特定とその評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- 抵抗変化型メモリ用Pt/NiO/Pt素子におけるフィラメント形成領域の特定とその評価
- 金属/TiO2/金属積層構造の抵抗スイッチング特性に対する電極材料の影響(シリコン関連材料の作製と評価)