長方形断面Siナノワイヤの伝導帯構造の断面形状およびサイズ依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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強束縛近似法を用いて,長方形断面を有する[001]および[110]Siナノワイヤの伝導帯構造を計算し,断面形状の違いによるバンド構造の変化を検討した.バルクSiのフルバンド分散との比較解析により,一辺が4nm以上の断面をもつナノワイヤのサブバンド構造を,バルクSi伝導帯の非放物線性に基づいて定量的に説明できた.また,両辺が3nm以下の断面を有する[110]方向のナノワイヤでは,縮退した谷の分裂によって有効質量が減少し,この効果は断面形状に大きく依存することを見出した。このようなサイズの[110]ナノワイヤをnチャネルとして用いることで,MOSFETの性能向上が期待できる.
- 2011-12-09
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