分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

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概要

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4H-SiC(0001)Si南上へのGaNの直接成長と、n-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性に関して報告する。GaNはrfプラズマ援用分子線エピタキシー法により成長した。基板は、[11-20]方向に8°オフした4H-SiC(0001)基板を用いた。SiC上に直接成長したGaNの表面モフォロジーは波打っており、最大30nm程度の起伏がある荒れた表面であった。ステップバンチングが見られ、[11-20]から±30°ずれた[01-10]と[10-10]方向にステップが向く傾向が見られた。成長温度を下げることにより比較的平坦な表面が得られるものの,最大高低差は3nmであった。波打った表面は依然として観測された。高温と低温で成長したGaNを用いて,メサ型ダイオードを作製した。成長条件とダイオードの電気的特性との相関について議論する。
社団法人電子情報通信学会の論文
2004-10-14

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