低イオン抵抗4kV SiCエピタキシャルPN接合ダイオードの作製
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概要
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横型コールドウォールCVDにより厚さ31μmの成長層を形成し、高耐圧SiCエピタキシャルPN接合ダイオードを作製した。n^-層はNドーピング、p層はAlドーピングにより形成した。作製したダイオードは、オン抵抗が4.6mΩcm^2と低い値を示し、耐圧は4.2kVを達成した。この値は現在用いられているSiのPINダイオードと同程度の耐圧で、オン抵抗が約10倍小さいという優れた特性を示している。また、ターンオフ時間が約0.35μsecであり、高速スイッチングが可能である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-06-23
著者
-
田村 聡之
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
藤平 景子
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
藤平 景子
京都大学 工学研究科
-
田村 聡之
京都大学 工学研究科
-
木本 恒暢
京都大学 工学研究科
-
松波 弘之
京都大学 工学研究科
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