パワーデバイスに向けたSiC超接合構造の作製と特性解析
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概要
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Siパワーデバイスにおいて、従来のデバイスの理論限界を超える性能が示されている超接合構造を、絶縁破壊電界の大きなSiCに適用することによって、高耐圧、高周波、かつ、超低損失なデバイスの実現が期待できる。本研究では、まず、シミュレーションを用いてSiC超接合構造の最適化ならびに特性の解析を行い、その後、SiCエピタキシャル成長時の不純物ドーピングによって、SiC超接合構造を作製した。また、パワーデバイス応用時の問題点についても考察する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-12-13
著者
-
須田 淳
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
木本 恒暢
京都大学工学部電気電子工学科
-
松波 弘之
京都大学工学部電気電子工学教室
-
松波 弘之
京都大学工学部
-
中村 俊一
京都大学工学研究科電子工学
-
木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
三浦 峰生
京都大学工学研究科 電子物性工学専攻
-
木本 恒暢
京都大学工学研究科
-
中村 俊一
京都大学工学研究科
-
松波 弘之
京都大学工学研究科
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